Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю

Автор(и)

  • V. Neimash Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • G. Dovbeshko Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • P. Shepelyavyi V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. Danko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. Melnyk Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics
  • M. Isaiev Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics
  • A. Kuzmich Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe61.02.0143

Ключові слова:

сонячнi елементи, тонкi плiвки, нанокристали, кремнiй, олово, металом iндукована кристалiзацiя

Анотація

Методом комбiнацiйного розсiювання свiтла рiзної потужностi поверхнею тонкоплiвкових структур Si–Sn–Si дослiджено процеси iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю. Аналiз спектрiв комбiнацiйного розсiювання використано для контролю температури, розмiру та концентрацiї кристалiв Si, що утворюються в матрицi аморфного Si в процесi вимiрювання спектрiв. Виявлено значне прискорення металом iндукованої кристалiзацiї при лазерному вiдпалi структур Si–Sn–Si порiвняно з вiдпалом у темрявi. Показано принципову можливiсть контролю в режимi “on line” розмiрiв i концентрацiї кристалiв Si в процесi їх формування.

Посилання

M.C. Beard, J.M. Luther, and A.J. Nozik, Nat. Nano 9, 951 (2014). https://doi.org/10.1038/nnano.2014.292 https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25466532

Z.I. Alferov, V.M. Andreev, and V.D. Rumyantsev, Semiconductors 38, 899 (2004). https://doi.org/10.1134/1.1787110

B. Yan, G. Yue, X. Xu, J. Yang, and S. Guha, Phys. Status Solidi A 207, 671 (2010). https://doi.org/10.1002/pssa.200982886

N.S. Lewis, Science 315, 798 (2007). https://doi.org/10.1126/science.1137014 https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/17289986

R. Søndergaard, M. H¨osel, D. Angmo, T.T. Larsen-Olsen, and F.C. Krebs, Mater. Today 15, 36 (2012). https://doi.org/10.1016/S1369-7021(12)70019-6

M. Birkholz, B. Selle, E. Conrad, K. Lips, and W. Fuhs, J. Appl. Phys. 88, 4376 (2000). https://doi.org/10.1063/1.1289783

B. Rech, T. Roschek, J. M¨uller, S. Wieder, and H. Wagner, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 66, 267 (2001). https://doi.org/10.1016/S0927-0248(00)00183-5

M.K. van Veen, C.H.M. van der Werf, and R.E.I. Schropp, J. Non-Cryst. Solids 338–340, 655 (2004). https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2004.03.071

Y. Mai, S. Klein, R. Carius, H. Stiebig, L. Houben, X. Geng, and F. Finger, J. Non-Cryst. Solids 352, 1859 (2006). https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2005.11.116

H. Li, R.H. Franken, R.L. Stolk, C.H.M. van der Werf, J.K. Rath, and R.E.I. Schropp, J. Non-Cryst. Solids 354, 2087 (2008). https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2007.10.046

R. Amrani, F. Pichot, L. Chahed, and Y. Cuminal, Cryst. Struct. Theory Appl. 1, 57 (2012).

G. Fugallo and A. Mattoni, Phys. Rev. B 89, 045301 (2014). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.89.045301

O. Nast and A.J. Hartmann, J. Appl. Phys. 88, 716 (2000). https://doi.org/10.1063/1.373727

M. Jeon, C. Jeong, and K. Kamisako, Mater. Sci. Technol. 26, 875 (2010). https://doi.org/10.1179/026708309X12454008169500

M.A. Mohiddon and M.G. Krishna, J. Mater. Sci. 47, 6972 (2012). https://doi.org/10.1007/s10853-012-6647-0

D. Van Gestel, I. Gordon, and J. Poortmans, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 119, 261 (2013). https://doi.org/10.1016/j.solmat.2013.08.014

A. Mohiddon and G. Krishna, in Crystallization – Science and Technology, edited by A. Marcello (InTech, 2012), p. 461.

V.V. Voitovych, V.B. Neimash, N.N. Krasko, A.G. Kolosiuk, V.Y. Povarchuk, R.M. Rudenko, V.A. Makara, R.V. Petrunya, V.O. Juhimchuk, and V.V. Strelchuk, Semiconductors 45, 1281 (2011). https://doi.org/10.1134/S1063782611100253

V.B. Neimash, V.M. Poroshin, A.M. Kabaldin, V.O. Yukhymchuk, P.E. Shepelyavyi, V.A. Makara, and S.Y. Larkin, Ukr. J. Phys. 58, 865 (2013). https://doi.org/10.15407/ujpe58.09.0865

V. Neimash, V. Poroshin, P. Shepeliavyi, V. Yukhymchuk, V. Melnyk, A. Kuzmich, V. Makara, and A.O. Goushcha, J. Appl. Phys. 114, 213104 (2013). https://doi.org/10.1063/1.4837661

V.B. Neimash, A.O. Goushcha, P.E. Shepeliavyi, V.O. Yukhymchuk, V.A. Dan'ko, V.V. Melnyk, and A.G. Kuzmich, Ukr. J. Phys. 59, 1168 (2014). https://doi.org/10.15407/ujpe59.12.1168

H. Richter, Z.P. Wang, and L. Ley, Solid State Commun. 39, 625 (1981). https://doi.org/10.1016/0038-1098(81)90337-9

I.H. Campbell and P.M. Fauchet, Solid State Commun. 58, 739 (1986). https://doi.org/10.1016/0038-1098(86)90513-2

S. Chen and I.C. Hsleh, Solid State Technol. 39, 113 (1996).

A.A.D.T. Adikaari and S.R.P. Silva, J. Appl. Phys. 97, (2005).

T.Y. Choi, D.J. Hwang, and C.P. Grigoropoulos, Opt. Eng. 42, 3383 (2003). https://doi.org/10.1117/1.1563232

J.-M. Shieh, Z.-H. Chen, B.-T. Dai, Y.-C. Wang, A. Zaitsev, and C.-L. Pan, Appl. Phys. Lett. 85, 1232 (2004). https://doi.org/10.1063/1.1782267

V.A. Volodin and A.S. Kachko, Semiconductors 45, 265 (2011). https://doi.org/10.1134/S1063782611020254

A.V. Emelyanov, A.G. Kazanskii, P.K. Kashkarov, O.I. Konkov, E.I. Terukov, P.A. Forsh, M.V. Khenkin, A.V. Kukin, M. Beresna, and P. Kazansky, Semiconductors 46, 749 (2012). https://doi.org/10.1134/S1063782612060097

P.J. Newby, B. Canut, J.-M. Bluet, S. Gom`es, M. Isaiev, R. Burbelo, K. Termentzidis, P. Chantrenne, L.G. Fr’echette, and V. Lysenko, J. Appl. Phys. 114, 014903 (2013). https://doi.org/10.1063/1.4812280

M. Balkanski, R.F. Wallis, and E. Haro, Phys. Rev. B 28, 1928 (1983). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.28.1928

B. Stoib, S. Filser, N. Petermann, H. Wiggers, M. Stutzmann, and M.S. Brandt, Appl. Phys. Lett. 104, 161907 (2014). https://doi.org/10.1063/1.4873539

S. P’erichon, V. Lysenko, B. Remaki, D. Barbier, and B. Champagnon, J. Appl. Phys. 86, 4700 (1999). https://doi.org/10.1063/1.371424

E. Bustarret, M.A. Hachicha, and M. Brunel, Appl. Phys. Lett. 52, 1675 (1988). https://doi.org/10.1063/1.99054

W. Cheng and S.-F. Ren, Phys. Rev. B 65, 205305 (2002). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.65.205305

A. Hiraki, Low Temperature Reactions at Si/metal Interfaces; What Is Going on at the Interfaces? (NorthHolland, Amsterdam, 1984).

UJP 2016 V610 #2uk

Завантаження

Опубліковано

2019-01-08

Номер

Том 61 № 2 (2016)

Розділ

Тверде тіло

Ліцензія

Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна

Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:

1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.

2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.

3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.

4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.

5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.

6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.

Як цитувати

Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю. (2019). Український фізичний журнал, 61(2), 143. https://doi.org/10.15407/ujpe61.02.0143

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають