Оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктури 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si

Автор(и)

  • V. A. Vinichenko Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics
  • V. V. Buchenko Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics
  • N. S. Goloborodko Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics
  • V. V. Lendel Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics
  • A. E. Lushkin Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics
  • V. N. Telega Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe61.03.0240

Ключові слова:

вольт-ампернi характеристики, спектр поглинання, тонкi плiвки, прозорi оксиди

Анотація

У роботi розглянуто оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктур 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si з товщиною плiвок 6 та 12 нм, що наносились методом магнетронного розпилення на структуровану поверхню кремнiю. Показано, що для плiвки товщиною 6 нм характерна наявнiсть декiлькох пiкiв оптичного поглинання, тодi як у структурi з товщиною 12 нм в тому ж спектральному дiапазонi цi максимуми вiдсутнi. Визначено вплив газового середовища та оптичного випромiнювання на електрофiзичнi властивостi структур 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si та показано, що вiдгук дослiджуваних структур на газове середовище пов’язаний з дiелектричною проникнiстю адсорбату. Результати даного дослiдження можна застосовувати при розробцi резистивних газових сенсорiв на основi плiвок 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si.

Посилання

Y. Sato, R. Tokumaru, E. Nishimura, P. Song, Yu. Shigesato, K. Utsumi, and H. Iigusa, J. Vac. Sci. Technol. A 23, 1167 (2005). https://doi.org/10.1116/1.1894421

G. Korotcenkov, Mater. Sci. Eng: B 139, 1 (2007). https://doi.org/10.1016/j.mseb.2007.01.044

B.R. Eggins, Biosensors: An Introduction (Wiley, Chichester, 1996). https://doi.org/10.1007/978-3-663-05664-5

An Introduction to Bioanalylical Sensors Techniques in Analytical Chemistry, edited by A.J. Cunningham (Wiley, Chichester, 1996).

Gas Sensors Principles, Operation, and Developments, edited by G. Sberveglieri (Kluwer, Dordrecht, 1992).

Semiconductor Sensors in Physico-Chemical Studies: Handbook of Sensors and Actuators, edited by L.Y. Kupriyanov (Elsevier, Amsterdam, 1996).

S.Y. Yurish, Digital Sensors and Sensor Systems: Practical Design (IFSA, Barcelona, 2011).

A. Ayeshamariam, M. Bououdina, and C. Sanjeeviraja, Mater. Sci. Semicond. Process. 16, 686 (2013). https://doi.org/10.1016/j.mssp.2012.12.009

L.A. Obvintseva, Ross. Khim. Zh. 52, 113 (2008).

S.I. Rembeza, E.S. Rembeza, T.V. Svistova, and O.I. Borsyakova, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 40, 57 (2006).

S.I. Rembeza, Yu.V. Shmatova, T.V.Svistova, E.S. Rembeza, and N.N.Koshelev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 46, 1213 (2012).

S.K. Tripathy, B.P. Hota, and V.S. Jahnavy, Zh. NanoElectron. Fiz. 5, 04055 (2013).

S.I. Rembeza, P.E. Voronov, B.M. Sinelnikov, and E.S. Rembeza, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 45, 1538 (2011).

D.I. Bilenko, O.Ya. Belobrovaya, E.A. Zharkova, D.V. Terin, and E.I. Khasina, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 834 (2005).

O.I. Bomk, L.G. Il'chenko, V.V. Il'chenko, A.M. Pinchuk, V.M. Pinchuk, G.V. Kuznetsov, V.I. Strykha, Sensor. Actuat. B 62, 131 (2000). https://doi.org/10.1016/S0925-4005(99)00384-6

R. Balasundaraprabhua, E.V. Monakhova, N. Muthukumarasamyb, O. Nilsena, and B.G. Svenssona, Mater. Chem. Phys. 114, 425 (2009). https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2008.09.053

Dewei Chu, Yu Ping Zeng, Dongliang Jiang, and Yo. Masuda, Sensor. Actuat. B 137, 630 (2009). https://doi.org/10.1016/j.snb.2008.12.063

Zhizhong Yuan, Dongsheng Li, Minghua Wang, Peiliang Chen, Daoren Gong, Peihong Cheng, and Deren Yang, Appl. Phys. Lett. 92, 121908 (2008). https://doi.org/10.1063/1.2902299

H.B. Huo, C. Wang, F.D. Yan, H.Z. Ren, and M.Y. Shen, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4817 (2009). https://doi.org/10.1166/jnn.2009.1218 http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/19928155

L.G. Il'chenko, A.A. Chuiko, V.V. Lobanov, and V.V. Il'chenko, in Technical Digest of the 18th International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC 2005) (Oxford, 2005), p. 200. https://doi.org/10.1109/IVNC.2005.1619555

A.I. Belyaeva, A.A. Galuza, and S.N. Kolomiets, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 38, 1050 (2004).

O.I. Barchuk, A.A. Goloborodko, V.N. Kurashov, Y.A. Oberemok, and S.N. Savenkov, Proc. SPIE 6254, 62540W (2006). https://doi.org/10.1117/12.679930

O.I. Barchuk, T.V. Molebna, A.G. Chumakov, V.N. Kurashov, and V.V. Marjenko, Proc. SPIE 2648, (1995). https://doi.org/10.1117/12.226136

A.A. Goloborodko, M.V. Epov, L.Y. Robur, and T.V. Rodionova, Zh. Nano-Electron. Fiz. 6, 02002 (2014).

H. Fujiwara, Spectroscopic Ellipsometry. Principles and Applications (Wiley, Chichester, 2007). https://doi.org/10.1002/9780470060193

L.A. Golovan', V.Yu. Timoshenko, and P.K. Kashkarov, Usp. Fiz. Nauk 177, 619 (2007). https://doi.org/10.3367/UFNr.0177.200706b.0619

G.E. Jellison, T.E. Haynes, and H.H. Burke, Opt. Mater. 2, 105 (1993). https://doi.org/10.1016/0925-3467(93)90035-Y

A.A. Goloborodko, Zh. Nano-Electron. Fiz. 5, 03048 (2013).

N.S. Goloborodko, V.M. Telega, and V.V. Il'chenko, in Abstratcts of the 8th International Scientific Conference "Electronics and Applied Physics" (Kyiv, 2012), p. 94.

Handbook of Chemical and Biological Sensors, edited by R.F. Taylor and J.S. Schultz (IOP Publishing House, Bristol, 1996).

V.V. Bolotov, V.E. Roslikov, E.A. Kurdyukova, A.V. Krivozubov, Yu.A.Sten'kin, and D.V. Cheredov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 46, 109 (2012).

A. Fort, M. Mugnaini, S. Rocchi, M.B. Serrano-Santos, V. Vignoli, and R. Spinicci, Sensor. Actuat. B 124, 245 (2007). https://doi.org/10.1016/j.snb.2006.12.030

O.M. Lovvik, S. Diplas, A. Romanyuk, and A. Ulyashin, Appl. Phys. 115, 083705 (2014). https://doi.org/10.1063/1.4866991

N.S. Goloborodko and V.V. Ilchenko, Visn. Kyiv. Univ. Ser. Fiz. Mat. Nauky, No. 3, 296 (2012).

M.G. Nakhodkin, Y.S. Musatenko, and V.N. Kurashov, Proc. SPIE 3402, 333 (1998). https://doi.org/10.1117/12.304963

A.O. Goloborodko, V.I. Grygoruk, M.M. Kotov, V.N. Kurashov, D.V. Podanchuk, and N.S. Sutyagina, Ukr. Fiz. Zh. 53, 946 (2008).

P.N. Krylov, R.M. Zakirova, and I.V. Fedotova, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 47, 1421 (2013).

A.M. Gulyaev, Van Le Van, O.B. Sarach, and O.B. Mukhina, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 42, 742 (2008).

S.I. Rembeza, N.N. Koshelev, E.S. Rembeza, T.V. Svistova, Yu.V. Shmatova, and Gang Xu, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 45, 612 (2011).

UJP 2016 V610 #3uk

Завантаження

Опубліковано

2019-01-06

Номер

Том 61 № 3 (2016)

Розділ

Тверде тіло

Ліцензія

Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна

Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:

1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.

2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.

3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.

4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.

5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.

6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.

Як цитувати

Оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктури 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si. (2019). Український фізичний журнал, 61(3), 240. https://doi.org/10.15407/ujpe61.03.0240

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають