Особливостi протiкання струму при ультразвуковому навантаженнi в сильно компенсованих низькоомних кристалах CdTe:Cl
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe61.05.0381Ключові слова:
ультразвук, дислокацiї, монокристали CdTe, ефект Холла, релаксацiя електропровiдностiАнотація
З метою вияснення механiзму впливу ультразвуку (УЗ) на електропровiднiсть q (T) у низькоомних монокристалах n-типу CdTe:Cl (NCl ≈ 1024 м−3) проведенi температурнi (77–300 К) дослiдження ефекту Холла та кiнетики релаксацiї q (t) при ввiмкненнi та вимкненнi УЗ (fUS ∼ 10 MГц, WUS ∼ 104 Вт/м2). Вперше виявлено динамiчний (повнiстю зворотний) вплив УЗ, який рiзниться для низькотемпературної областi (НТ, T < 180 К) i високотемпературної (ВТ, T > 200 К). У ВТ областi акустостимульованi (АС) змiни незначнi, дещо падає рухливiсть, довготривалi q(t) не проявляються. В НТ областi вiдноснi АС змiни зростають, збiльшується тривалiсть релаксацiйних процесiв q(t), якi проявляють двостадiйний характер. Для пояснення використана модель неоднорiдного напiвпровiдника, що мiстить кластери домiшкових дефектiв в околi дислокацiй. Запропоновано механiзм, який пов’язує “миттєвi” зростання q(t) з АС зменшенням амплiтуди флуктуацiй крупномасштабного потенцiалу в результатi збiльшення ефективного електронного радiуса дислокацiйних домiшкових кластерiв; довготривалi температурно-залежнi релаксацiї (50–500 с) визначаються дифузiйною перебудовою точково-дефектної структури в серединi кластера, включаючи перебудову заряджених акцепторних комплексiв [(V2−CdCl+Te)−] в нейтральнi – [(V2−Cd2Cl+Te)0].
Посилання
I.V. Ostrovs'kyi and A.A. Korotchenkov. Acoustooptics (Vyshcha Shkola, Kyiv, 2003) (in Ukrainian).
S. Ostapenko, N.E. Korsunskaya, and M.K. Sheinkman, Solid State Phenom. 85–86, 317 (2002). https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.85-86.317
O.Ya. Olikh, Ultrasonics 56, 545 (2015). https://doi.org/10.1016/j.ultras.2014.10.008
Ya.M. Olikh and O.Ya. Olikh, Sensor. Elektron. Mikrosyst. Tekhnol. 1, 19 (2004).
A.I. Vlasenko, Ya.M. Olikh, and R.K. Savkina, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 33, 410 (1999).
B.N. Babentsov, S.I. Gorban', I.Ya. Gorodetskii et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25, 1243 (1991).
D.V. Korbutyak, S.W. Mel'nychuk, E.V. Korbut, and M.M. Borysyk, Cadmium Telluride: Impurity-Defect States and Detector Properties (Ivan Fedorov, Kyiv, 2000) (in Ukrainian).
V.I. Khivrych, Effects of Compensation and Ionizing Radiation in CdTe Single Crystals (Institute for Nuclear Research, Kyiv, 2010) (in Ukrainian).
M.V. Alekseenko, E.N. Arkadyeva, and A.A. Matveev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 4, 414 (1970).
N.V. Agrinskaya, E.N. Arkadyeva, and A.I. Terentyev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 23, 231 (1989).
N.V. Agrinskaya, M.V. Alekseenko, E.N. Arkadyeva et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. 9, 320 (1975).
N.V. Agrinskaya and V.V. Shashkova, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 24, 697 (1990).
N.V. Agrinskaya and A.N. Alyoshin, Fiz. Tverd. Tela 31, 277 (1989).
N.V. Agrinskaya and V.I. Kozub, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32, 703 (1998).
Electronic Properties of Dislocations in Semiconductors, edited by Yu.A. Osipyan (Editorial URSS, Moscow, 2000) (in Russian).
V.B. Shikin and Yu.V. Shikina, Usp. Fiz. Nauk 165, 887 (1995). https://doi.org/10.3367/UFNr.0165.199508b.0887
M. Reiche, M. Kittler, W. Erfurt et al., J. Appl. Phys. 115, 194303 (2014). https://doi.org/10.1063/1.4876265
A.A. Matveev and A.I. Terentyev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 34, 1316 (2000).
Ya.M. Olikh and N.D. Timochko, in Proceedings of the 4th International Conference ISMART 2014 (Belorus. Gos. Univ. Publ. Center, Minsk, 2014), p. 112 (in Russian).
M.I. Ilashchuk, A.A. Parfenyuk, and K.S. Ulyanitskyi, Ukr. Fiz. Zh. 31, 126 (1986).
Ya.M. Olikh and R.K. Savkina, Ukr. Fiz. Zh. 42, 1385 (1997).
Ya.M. Olikh and M.D. Tymochko, Techn. Phys. Lett. 37, 37 (2011). https://doi.org/10.1134/S106378501101007X
Physics of A II B VI compounds, edited by A.N. Georgobiani and M.K. Sheikman (Nauka, Moscow,1986) (in Russian).
V.L. Bonch-Bruevich and S.G. Kalashnikov, Semiconductor Physics (Nauka, Moscow, 1977) (in Russian).
M.K. Sheinkman and A.Ya. Shik, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 10, 209 (1976).
I.A. Gerko, V.I. Khrupa, V.P.Klad'ko, E.N. Kislovskii, and V.N. Merinov, Zavodsk. Laborat. 54, 65 (1988).
L.R. Weisberg, J. Appl. Phys. 33, 1817 (1962). https://doi.org/10.1063/1.1728839
E.D. Golovkina, N.N. Levchenya, and A.Ya. Shik, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 10, 383 (1976).
B.I. Shklovskii and A.L. Efros, Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer, Berlin, 1984). https://doi.org/10.1007/978-3-662-02403-4
N.A. Poklonskii, Ionization Equilibrium and Hopping Conductivity in Doped Semiconductors (Belorus. Gos. Univ. Publ. House, Minsk, 2004) (in Russian).
M.M. Baran, I.M. Vas'kovych, Nauk. Visn. NLTU 22.15, 336 (2012).
S.A. Omel'chenko, A.A. Gorban', M.F. Bulanyi, and A.A. Timofeev, Fiz. Tverd. Tela 48, 830 (2006).
Ultrasound. The Small Encyclopedia, edited by I.P. Golyamina (Soviet Encyclopedia, Moscow, 1979) (in Russian).
V.N. Pavlovich, Phys. Status Solidi B 180, 97 (1993). https://doi.org/10.1002/pssb.2221800108
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
