Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe61.10.0917Ключові слова:
рекомбiнацiйний струм, область просторового заряду, кремнiєвi сонячнi елементи, глибокий рекомбiнацiйний рiвеньАнотація
Дослiджено темновi ВАХ кремнiєвих сонячних елементiв з рiзними часами життя Шоклi–Рiда–Холла, якi визначались з спектральних залежностей внутрiшнього квантового виходу струму короткого замикання. Встановлено, що рекомбiнацiйнi струми в областi просторового заряду (ОПЗ) формуються на основi часiв життя, менших, принаймнi на порядок, за об’ємнi часи життя. Це пояснено великою концентрацiєю дефектiв, якi приводять до появи глибоких рiвнiв, в ОПЗ дослiджуваних структур кремнiю. Оцiнено параметри глибоких рiвнiв, вiдповiдальних за рекомбiнацiю в ОПЗ.
Посилання
V.I. Lyashenko and G.A. Fedorus, Zh. Eksp. Teor. Fiz. 8, 818 (1938).
E.I. Rashba and K.B. Tolpygo, The direct voltage-current characteristic of a plane rectifier with large currents, Sov. Phys.–Tech. Phys. 1, 1388 (1956).
Z.S. Gribnikov, Radiotekhn. Elektron. 9, 163 (1964).
S.C.T. Sah, R.N. Noyse, and W. Shockley, Carrier-generation and recombination in P-N junctions and P-N characteristics, Proc. IRE 45, 1228 (1957).
E.F. Zalewski and C.R. Duda, Silicon photodiode device with 100% external quantum efficiency, Appl. Opt. 22, 2867 (1983) [DOI: 10.1364/AO.22.002867].
A. Rohas, A.R. Paucard, B. Besse et al., Low-noise silicon avalanche photodiodes fabricated in conventional CMOS technologies, IEEE Trans. El. Dev. 49, 387 (2002) [DOI: 10.1109/16.987107].
A.P. Gorban, V.P.Kostylyov, A.V. Sachenko, O.A. Serba, I.O. Sokolovs’kyi, and V.V. Chernenko, Effect of floating p-n junctions on the efficiency of silicon back side contact solar cells, Ukr. Fiz. Zh. 55, 784 (2010).
A.P. Gorban, V.P.Kostylyov, A.V. Sachenko, O.A. Serba, and V.V. Chernenko, Sensor. Elektron. Mikrosyst. Tekhnol. 1, No. 7, 27 (2010).
K. Bothe, R. Sinton, and J. Schmidt, Fundamental boron–oxygen-related carrier lifetime limit in mono- and multicrystalline silicon, Prog. Photovolt. 13, 287 (2005) [DOI: 10.1002/pip.586].
K. Bothe and J. Schmidt, Electronically activated boronoxygen-related recombination centers in crystalline silicon, Appl. Phys. 99, 013701 (2006) [DOI: 10.1063/1.2140584].
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
