Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений

Автор(и)

  • T. A. Pagava Georgian Technical University
  • M. G. Beridze Georgian Technical University
  • N. I. Maisuradze Georgian Technical University
  • L. S. Chkhartishvili Georgian Technical University
  • I. G. Kalandadze Georgian Technical University

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe58.08.0773

Ключові слова:

разупорядоченные области, протонное облучение, эффективная холловская подвижность, кремний

Анотація

Целью работы является исследование природы и размеров разупорядоченных областей, создаваемых в монокристаллах n-Si облучением высокоэнергетическими (25 МэВ) протонами, посредством холловских измерений электрофизических параметров. Использовались зонноплавленные образцы, легированные фосфором с концентрацией 6x10^13 cm^-3. Облучение проводилось при комнатной температуре в интервале доз (1,8–8,1)x10^12 cm^-2. В ряде образцов, в зависимости от дозы облучения и температуры изохронного отжига, наблюдалось резкое увеличение эффективной холловской подвижности мeff, что объясняется образованием в образцах при их облучении высокоэнергетическими протонами “металлических” включений, т.е. областей с проводимостью существенно выше по сравнению с проводимостью полупроводниковой матрицы. Радиус подобных областей оценен как Rm < 80 нм. Высказано предположение, что “металлические” включения являются наноразмерными атомными кластерами.

Завантаження

Опубліковано

2018-10-10

Номер

Розділ

Тверде тіло

Як цитувати

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають