Електрофiзичнi характеристики приповерхневих шарiв кристалiв Si p-типу, з напиленими плiвками Al, пiдданих пружнiй деформацiї

Автор(и)

  • B. V. Pavlyk Ivan Franko National University of Lviv, Department of Electronics
  • M. O. Kushlyk Ivan Franko National University of Lviv, Department of Electronics
  • R. I. Didyk Ivan Franko National University of Lviv, Department of Electronics
  • Y. A. Shykorjak Ivan Franko National University of Lviv, Department of Electronics
  • D. P. Slobodzyan Ivan Franko National University of Lviv, Department of Electronics
  • B. Y. Kulyk Ivan Franko National University of Lviv, Scientific-Technical and Educational Center of Low Temperature Studies

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe58.08.0742

Ключові слова:

одновiсна пружна деформацiя, кристалiчна ґратка, гетероструктура, епiтаксiальне напилювання, гетерування, хмарина Котрелла

Анотація

Показано, що осаджена плiвка Al на поверхню (111) кристала Si(p) формує деформацiйне поле в приповерхневому шарi. За одновiсної пружної деформацiї кристала спостерiгається гетерування дефектiв з об’єму зразка у приповерхневому шарi пiд напиленою плiвкою. Отримана залежнiсть змiни величини опору цих зразкiв вiд величини пружної деформацiї пiдтверджує гетерування електрично активних дефектiв у приповерхневому деформованому шарi. Проведено теоретичнi розрахунки максимальної глибини захоплення цих дефектiв на основi енергiї взаємодiї деформованого шару та дислокацiй.

Завантаження

Опубліковано

2018-10-10

Номер

Розділ

Тверде тіло

Як цитувати

Електрофiзичнi характеристики приповерхневих шарiв кристалiв Si p-типу, з напиленими плiвками Al, пiдданих пружнiй деформацiї. (2018). Український фізичний журнал, 58(8), 742. https://doi.org/10.15407/ujpe58.08.0742