Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки

Автор(и)

  • O. Ya. Olikh Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe58.02.0126

Ключові слова:

inhomogeneous Schottky barrier, thermionic emission, silicon

Анотація

У роботi експериментально дослiджено прямi та зворотнi вольт-ампернi характеристики структурMo/n-Si з бар’єром Шотки в дiапазонi температур 130–330 К. Виявлено, що при пiдвищеннi температури має мiсце збiльшення висоти бар’єра Шотки та зменшення фактора неiдеальностi. Проведено аналiз отриманих результатiв у рамках моделi неоднорiдного контакту. Визначено середнє значення та стандартне вiдхилення висоти бар’єра Шотки: 0,872 В та 0,099 В при T = 130–220 К i 0,656 В та 0,036 В при T = 230–330 К вiдповiдно. Показано, що при зворотному змiщеннi основними процесами перенесення заряду є термоелектронна емiсiя через неоднорiдний бар’єр та тунелювання.

Завантаження

Опубліковано

2018-10-05

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають