Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах

Автор(и)

  • V. G. Lytovchenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • A. I. Kurchak V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • M. V. Strikha V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine, Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Radiophysics, Electronics, and Computer Systems

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe63.6.527

Ключові слова:

ефект Ганна

Анотація

Вперше адаптовано для 2D напiвпровiдникових моношарiв типу MoS2 та WS2 просту теоретичну модель розiгрiву електронiв у системi з двома долинами. Показано, що така модель добре описує наявнi експериментальнi данi щодо ефекту негативної диференцiальної провiдностi в моношарi WS2 й пiдтверджує можливiсть створення на таких структурах нового поколiння дiодiв Ганна. Частоти, якi може бути отримано на таких дiодах, становлять порядку 10 ГГц i вище, що робить такi дiоди потенцiйно
привабливими для низки практичних застосувань.

Завантаження

Опубліковано

2018-07-12

Номер

Розділ

Напівпровідники і діелектрики

Як цитувати

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають