Про ефективнi термоелектроннi катоди
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe60.01.0074Ключові слова:
оксидний катод, металево-пористий катод, окиси лужноземельних металiв, окис скандiю, термоелектронна емiсiя, автоелектронна емiсiяАнотація
Проведено огляд наукових робiт, якi присвяченi найбiльш ефективним сучасним термоелектронним катодам, а саме: оксидним катодам (ОК) та металево-пористим катодам (МПК). Основна увага придiлена аналiзу механiзмiв емiсiї цих джерел електронiв. Крiм того, розглядається зв’язок емiсiйної здатностi МПК з їх фiзико-технiчними параметрами. Також обговорюється i вплив технологiї виготовлення на експлуатацiйнi характеристики катодiв.
Посилання
N.D. Morgulis, Usp. Fiz. Nauk 53, 501 (1954). https://doi.org/10.3367/UFNr.0053.195408c.0501
G. Hermann and S. Wagner, The Oxide Coated Cathode (Chapman and Hall, London, 1951).
E.S. Rittner, Philips Res. Rep. 8, 184 (1953).
G.A. Kudintseva, A.I. Melnikov, A.V. Morozov, and B.P. Nikonov, Thermionic Cathodes (Energiya, Moscow, 1966) (in Russian).
B.Ya. Moizhes, Physical Processes in Oxide Cathode (Nauka, Moscow, 1968) (in Russian).
P. Zalm, Adv. Electron. Electron Phys. 25, 211 (1968). https://doi.org/10.1016/S0065-2539(08)60511-9
B.P. Nikonov, Oxide Cathode (Energiya, Moscow, 1979) (in Russian).
V.T. Cherepin and M.A. Vasil'ev, Methods and Devices for Surface Analysis of Materials. A Handbook (Naukova Dumka, Kyiv, 1982) (in Russian).
B.P. Nikonov and K.S. Beinar, Radiotekhn. Elektron. 15, 1272 (1970).
B.P. Nikonov, Izv. Akad. Nauk SSSR Ser. Fiz. 35, 270 (1971).
K.S. Beinar and B.P. Nikonov, Izv. Akad. Nauk SSSR Ser. Fiz. 35, 286 (1971).
B.P. Nikonov, Fiz. Tverd. Tela 15, 1481 (1973).
A.M. Sokolov and B.P. Nikonov, Izv. Akad. Nauk SSSR Ser. Fiz. 40, 2472-2477 (1976).
G.Ya. Pikus, G.E. Chaika, and V.F. Shnyukov, Ukr. Fiz. Zh. 37, 1021 (1992).
V.F. Shnyukov, G.E. Chaika, and G.Ya. Pikus, Prog. Surf. Sci. 51, 175 (1996). https://doi.org/10.1016/0079-6816(96)00004-4
G.Ya. Pikus, S.P. Rakitin, V.I. Samiilenko, and V.F. Shnyukov, Izv. Ross. Akad. Nauk Ser. Fiz. 62, 2051 (1998).
M. Saito, R. Suzuki, K. Fukuyama, K. Watanabe, K. Sano, and H. Nakanishi, IEEE Trans 37, 2605 (1990). https://doi.org/10.1109/16.64548
Y. Hayashida, N. Ozawa, and H. Sakutai, Appl. Surf. Sci. 146, 7 (1999). https://doi.org/10.1016/S0169-4332(99)00046-X
A.V. Druzhinin and Yu.A. Kondrashenkov, Radiotekhn. Elektron. 18, 1531 (1973).
Yu.A. Kondrashenkov, Z.N. Galanina, and A.V. Druzhinin, Elektron. Tekhn. Ser. 1 Elektron. SVCh, Iss. 6, 55 (1974).
L.A. Ashkinazi and V.A. Zlobin, Elektron. Tekhn. Ser. 4 Elektovak. Prib., Iss. 3, 10 (1982).
Yu.A. Kondrashenkov, Z.N. Galanina, and A.V. Druzhinin, Elektron. Tekhn. Ser. 1 Elektron. SVCh, Iss. 7, 35 (1974).
A.Ya. Knyazev, in Abstracts of the 18-th All-Union Conference on Emission Electronics (Nauka, Moscow, 1981), p. 143.
V.F. Shnyukov, B.I. Mikhailovskii, A.E. Lushkin, and A.I. Zuev, Elektron. Tekhn. Ser. 1 Elektron. SVCh, Iss. 4, 42 (1981).
V.F. Shnyukov and A.E. Lushkin, Elektron. Tekhn. Ser. 1 Elektron. SVCh, Iss. 1, 58 (1978).
V.F. Shnyukov and A.E. Lushkin, Vestnik Kiev. Univ. Fiz. 19, 61 (1973).
V.F. Shnyukov, B.I. Mikhailovskii, and A.E. Lushkin, Vestnik Kiev. Univ. Fiz. 20, 88 (1979).
V.F. Shnyukov, B.I. Mikhailovskii, and A.E. Lushkin, Vestnik Kiev. Univ. Fiz. 26, 62 (1985).
Yu.F. Klement'ev, A.Ya.Knyazev, and E.N. Lifantsev, Elektron. Tekhn. Ser. 1 Elektron. SVCh, Iss. 10, 23 (1986).
A.N. Govyadinov and P.P. Mardilovich, Deposit manuscript N Ts4272 (Inst. of Electronics, Minsk, 1986) (in Russian)
D.I. Aleinikova and A.N. Govyadinov, Elektron. Tekhn. Ser. 6 Mater., Iss. 6, 22 (1988).
A.N. Govyadinov, I.L. Grigorishin, P.P. Mardilovich, and P.A. Ananich, Elektron. Tekhn. Ser. 1 Elektron. SVCh, Iss. 6, 36 (1989).
I.L. Grigorishin, I.F. Kotova, and N.I. Mukhorov, IVESC'96 G16/101.
V.I. Kozlov, Obzory Elektorn. Tekhn. Ser. 1 Elektron. SVCh, Iss. 6, 1 (1980).
N.P. Brodnikovskii, L.A. Vermenko, O.I. Konovaljuk et al., Elektron. Tekhn. Ser. 6 Mater., Iss. 4, 20 (1980).
P. Zalm and A.J.A. Van Stratum, Philips Tech. Rev. 27, 69 (1966).
A. van Oostrom and L. Augustus, Appl. Surf. Sci. 2, 173 (1979). https://doi.org/10.1016/0378-5963(79)90033-3
S. Yamamoto, S. Tagushi, T. Aido et al., Appl. Surf. Sci. I7, 504 (1984). https://doi.org/10.1016/0378-5963(84)90010-2
G. Gartner, P. Geittner, D. Raasch, and D.U. Wiechert, Appl. Surf. Sci. 146, 22 (1999). https://doi.org/10.1016/S0169-4332(99)00016-1
V.M. Skryleva, Obzory Elektorn. Tekhn. Ser. 1 Elektron. SVCh, Iss. 5, 1 (1976).
E.S. Rittner, W.C. Rutledge, and R.H. Ahlert, J. Appl. Phys. 28, 1468 (1957). https://doi.org/10.1063/1.1722678
A. Ahmed, Sci. Progr. Oxi. 57, 259 (1969).
A.V. Druzhinin, Radiotekhn. Elektron. 10, 498 (1965).
I. Brodie and R.O. Jenkins, in Effective Thermionic Cathodes, Vol. 2 (Gosenergoizdat, Moscow, 1960), p. 334 (in Russian).
G.A. Haas, C.R.K. Marrian, and A. Shih, Appl. Surf. Sci. 3/4, 430 (1985). https://doi.org/10.1016/0169-4332(85)90191-6
A.W. Denier van der Gon, M.F.F.K. Jongen, H.H. Brongersma, U. van Slooten, and A. Manenschijn, Appl. Surf. Sci. 111, 64 (1997). https://doi.org/10.1016/S0169-4332(96)00694-0
R. Cortenraad, A.W. Deiner van der Gon, H.H. Brongersma, G. Gartner, and A. Manenschijn, Appl. Surf. Sci. 191, 153 (2002). https://doi.org/10.1016/S0169-4332(02)00175-7
A.P. Makarov, O.K. Kultashev, E.D. Kuranova et al., Radiotekhn. Elektron. 36, 2196 (1991).
V.F. Shnyukov and A.E. Lushkin, Radiotekh. 100, 267 (1996).
P. Zalm, in Advances in Electronics and Electron Physics, edited by L. Marton (Academic Press, New York, 1968), p. 221.
B.B. Shishkin, Izv. Akad. Nauk SSSR Ser. Fiz. 38, 2279 (1974).
Yu.V. Gurkov, A.V. Druzhinin, A.A. Isaev et al., Izv. Akad. Nauk SSSR Ser. Fiz. 38, 2264 (1974).
C.E. Melony and N. Richardson, Appl. Surf Sci. 8, 2 (1981). https://doi.org/10.1016/0378-5963(81)90003-9
V.F. Shnyukov, B.I. Mikhailovskii, A.E. Lushkin et al., Radiotekhn. Elektron. 24, 1184 (1979).
V.F. Shnyukov, B.I. Mikhailovskii, A.E. Lushkin et al., Elektron. Tekhn. Ser. 1 Elektron. SVCh, Iss. 8, 25 (1980).
V.F. Shnyukov, B.I. Mikhailovskii, A.E. Lushkin et al., Elektron. Tekhn. Ser. 1 Elektron. SVCh, Iss. 6, 36 (1982).
V.F. Shnyukov, B.I. Mikhailovskii, A.E. Lushkin et al., Elektron. Tekhn. Ser. 1 Elektron. SVCh, Iss. 9, 40 (1984).
V.F. Shnyukov, B.I. Mikhailovskii, A.E. Lushkin et al., Elektron. Tekhn. Ser. 4 Elektovak. Gazorazr. Prib., Iss. 1, 8 (1985).
V.F. Shnyukov, B.I. Mikhailovskii, A.E. Lushkin et al., Elektron. Tekhn. Ser. 1 Elektron. SVCh, Iss. 8, 30 (1986).
V.F. Shnyukov, B.I. Mikhailovskii, A.E. Lushkin et al., Izv. Akad. Nauk SSSR Ser. Fiz. 52, 1500 (1988).
V.F. Shnyukov, B.I. Mikhailovskii, A.E. Lushkin et al., Elektron. Tekhn. Ser. 4 Elektovak. Gazorazr. Prib., Iss. 4, 50 (1989).
V.F. Shnyukov, B.I. Mikhailovskii, A.E. Lushkin, and A.N. Bozhko, Elektron. Tekhn. Ser. 1 Elektron. SVCh, Iss. 5, 24 (1991).
V.F. Shnyukov, B.I. Mikhailovskii, A.E. Lushkin et al., Izv. Akad. Nauk SSSR Ser. Fiz. 5, 2357 (1991).
O.I. Get'man, A.E. Lushkin, V.V. Panichkina et al., Izv. Akad. Nauk SSSR Ser. Fiz. 58, No. 10, 76 (1994).
V.F. Shnyukov and A.E. Lushkin, Radiotekhn. 100, 267 (1997).
O.I. Get'man, A.E. Lushkin, S.P. Rakitin, and V.V. Panichkina, Poroshk. Metallurg. N 11/12, 97 (2005).
A.E. Lushkin, Ph.D. thesis, Kyiv University, Kyiv, 1996 (in Russian).
V.F. Shnyukov, Dr. Sci. thesis, Kyiv University, Kyiv, 1994 (in Russian).
S.I. Plankovskii, E.K. Ostrovskii, and E.V. Tsegelnik, Aviats. Kosmich. Tekhn. Tekhnol. 2, 78 (2008).
V.F. Shnyukov, B.I. Mikhailovskii, A.E. Lushkin, S.P. Rakitin et al., Izv. Akad. Nauk SSSR Ser. Fiz. 58, No. 10, 171 (1994).
G. Gartner, P. Geittner, H. Lydtin, and A. Ritz, Appl. Surf. Sci. 111, 11 (1997). https://doi.org/10.1016/S0169-4332(96)00698-8
S. Sasaki, I. Amano, T. Yaguchi, N. Matsuzaki, E. Yamada, S. Taguchi, and M. Shibata, Appl. Surf. Sci. 111, 18 (1997). https://doi.org/10.1016/S0169-4332(96)00701-5
S. Sasaki, T. Yaguchi, N. Mori, S. Taguchi, and M. Shibata, Appl. Surf. Sci. 146, 17 (1999). https://doi.org/10.1016/S0169-4332(99)00040-9
E. Uda, O. Nakamura, S. Matsumoto, and T. Higuchi, Appl. Surf. Sci. 146, 31 (1999). https://doi.org/10.1016/S0169-4332(99)00067-7
S. Sasaki, T. Yaguchi, Y. Nonaka, S. Taguchi, and M. Shibata, Appl. Surf. Sci. 195, 214 (2002). https://doi.org/10.1016/S0169-4332(02)00557-3
P. Geittner, G. Gartner, and D. Raasch, J. Vac. Sci. Tecnol. 18, 997 (2000). https://doi.org/10.1116/1.591315
G. Gaertner, P. Geittner, and D. Raasch, Appl. Surf. Sci. 201, 61 (2002). https://doi.org/10.1016/S0169-4332(02)00501-9
I.I. Bekh, V.V. Il'chenko, O.M. Kostyukevych, and A.E. Lushkin, Visn. Kyiv. Univ. Ser. Fiz. Mat. Nauky 2, 236 (2003).
J. Wang, Y. Wang, S. Tao, H. Li, J. Yang, and M. Zhou, Appl. Surf. Sci. 215, 38 (2003). https://doi.org/10.1016/S0169-4332(03)00322-2
J. Li, S. Yan, W. Shao, Q. Chen, and M Zhu, Appl. Surf. Sci. 215, 49 (2003). https://doi.org/10.1016/S0169-4332(03)00273-3
V.F. Shnyukov, A.D. Gorchinskii, and A.E. Lushkin, Izv. Akad. Nauk SSSR Ser. Fiz. 582, N 10, 166 (1994).
V.F. Shnyukov, A.D. Gorchinskii, B.I. Mikhailovskii, A.E. Lushkin, and V.N. Telega, in Physicochemical, Structural, and Emission Properties of Thin Films and Solid Surface, edited by M.G. Nakhodkin (Zaporizhzhya, 1995), Vol. 2, p. 158 (in Ukrainian).
W. Muller, Appl. Surf. Sci. 111, 30 (1992). https://doi.org/10.1016/S0169-4332(96)00699-X
P.M. Zagwijn, J.W.M. Frenken, U. Van Stoolen, and B.A. Duine, Appl. Surf. Sci. 111, 35 (1997). https://doi.org/10.1016/S0169-4332(96)00750-7
S.H. Magnus, D.N. Hill, and W.L. Ohlinger, Appl. Surf. Sci. 111, 42 (1997). https://doi.org/10.1016/S0169-4332(96)00700-3
Shih, J.E. Yater, and R. Abrams, Appl. Surf. Sci. 146, 1 (1999). https://doi.org/10.1016/S0169-4332(99)00062-8
I.I. Bekh, O.Ye. Lushkin, and Yu.A. Len', Visn. Kyiv. Univ. Ser. Radiofiz. Electron. 3, 16 (2001).
Shih, J.E. Yater, C. Hor, and R. Abrams, Appl. Surf. Sci. 7931, 1 (2002).
S. Iida, T. Tsujita, T. Nagatomi, and Y. Takai, Surf. Interface Anal. 35, 7 (2003). https://doi.org/10.1002/sia.1483
T. Nagatomi, S. Iida, T. Tsujita, and Y. Takai, Surf. Sci. Lett. 523, 37 (2003). https://doi.org/10.1016/S0039-6028(02)02407-X
S. Iida, T. Tsujita, T. Nagatomi, and Y. Takai, Surf. Sci. 543, 1 (2003). https://doi.org/10.1016/j.susc.2003.08.019
T. Tsujita, S. Iida, T. Nagatomi, and Y. Takai, Surf. Sci. 547, 99 (2003). https://doi.org/10.1016/j.susc.2003.10.008
S-i. Iida, Y. Nakanishi, T. Nagatomi, and Y. Takai, Jpn. J. Appl. Phys. 43A, 6352 (2004). https://doi.org/10.1143/JJAP.43.6352
A. Shih, J.E. Yater, and C. Hor, Appl. Surf. Sci. 242, 35 (2005). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.07.067
I.I. Bekh, Ph. D. thesis, Kyiv, 2007 (in Ukrainian).
W. Shuguang, Appl. Surf. Sci. 251, 114 (2005). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2005.03.217
H. Yuan, X. Gu, K. Pan, Y. Wang, W. Liu, K. Zhang, J. Wang, M. Zhou, and J. Li, Appl. Surf. Sci. 251, 106 (2005). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2005.03.196
W. Jinshu, L. Hong, L. Lili, and Zh. Meiling, J. Rare Earths 25, 194 (2007). https://doi.org/10.1016/S1002-0721(07)60072-6
J. Wang, L. Li, W. Liu, Y. Wang, and Y. Wang, J. Phys. Chem. Solids 69, 2103 (2008). https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2008.03.013
J. Wang, L. Li, W. Liu, Y. Wang, L. Zhao, and Y. Wang, J. Phys. Chem. Solids 68, 2209 (2007). https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2007.05.014
J. Wang , Y. Wang, W. Liu, L. Li, Y. Wang, and M. Zhou, J. Alloys Comp. 459, 302 (2008).
J. Wang, X. Wang, W. Liu, T. Gao, and Y. Wang, J. Phys. Chem. Solids 72, 1128 (2011). https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2011.06.015
B.Ch. Dyubua, A.G. Mihal'chenkov, O.V. Polivnikova, and M.P. Temiryazeva, Elektron. Tekhn. Ser. 1 Elektron. SVCh, Iss. 1, 25 (2010).
Y. Wang, J. Wang, W. Lin, K. Zhang, and J. Li, IEEE Trans. Electr. Dev. 54, 1061 (2007). https://doi.org/10.1109/TED.2007.894602
J. Wang, Ch. Lai, W. Liu, F. Yang, X. Zhang, Y. Cui, and M. Zhou, Mater. Res. Bull. 48, 3594 (2013). https://doi.org/10.1016/j.materresbull.2013.05.069
X. Zhang, J. Wang, W. Liu, T. Tian, and M. Zhou, Mater. Res. Bull. 48, 5040 (2013). https://doi.org/10.1016/j.materresbull.2013.05.018
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.










