Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001)
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe60.02.0130Ключові слова:
адсорбцiя, дифузiя, поверхня напiвпровiдника, окисненняАнотація
Наведено результати дослiджень адсорбцiї та дифузiї атомiв елементiв IV (Si, Ge), V (As, Sb, Bi) груп на поверхнi Si(001) та Ge(001) методами квантової хiмiї. Дослiджено механiзм впливу адсорбцiї атомiв елементiв V групи на властивостi гранi (001) кремнiю. Проаналiзовано роботи, присвяченi проблемам адсорбцiї та коадсорбцiї атомiв елементiв V групи (As, Sb та Bi) та кисню на поверхнi Si(001), дифузiї аддимерiв Bi на поверхнi Si(001) та аддимерiв Si, Ge на поверхнi Ge(001). Результати дослiджень демонструють високий потенцiал методiв квантової хiмiї для отримання унiкальної iнформацiї про взаємодiю адсорбатiв з поверхнею напiвпровiдника.
Посилання
F. Rochet, C. Poncey, G. Dufour et al., Surf. Sci. 326, 229 (1995). https://doi.org/10.1016/0039-6028(94)00793-4
I.P. Koval, Yu.A. Len and M.G. Nakhodkin, Nanosyst. Nanomater. Nanotekhnol. 3, 941 (2005).
I.P. Koval, V.V. Laposha, Yu.A. Len et al., Visn. Kyiv. Univ. Ser. Fiz. Mat. Nauky, N 4, 307 (2002).
I. Koval, P. Melnik, N. Nakhodkin et al., Surf. Sci. 384, L844 (1997). https://doi.org/10.1016/S0039-6028(97)00285-9
M.Yu. Pyatnitskii, I.F. Koval', P.V. Mel'nik et al., Teor. Eksp. Khim. 33, 124 (1997).
M.W. Schmidt, K.K. Baldridge, J.A. Boatz et al., J. Comput. Chem. 14, 1347 (1993). https://doi.org/10.1002/jcc.540141112
R.A. Wolkow, Phys. Rev. Lett. 68, 2636 (1992). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.68.2636
Y. Kondo, T. Amakusa, M. Iwatsuki et al., Surf. Sci. 453, L318 (2000). https://doi.org/10.1016/S0039-6028(00)00391-5
K. Hata, S. Yoshida, and H. Shigekawa, Phys. Rev. Lett. 89, 286104 (2002). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.89.286104
S.B. Healy, C. Filippi, P. Kratzer et al., Phys. Rev. Lett. 87, 016105 (2001). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.87.016105
Y. Jung, Y. Shao, M.S. Gordon et al., J. Chem. Phys. 119, 10917 (2003). https://doi.org/10.1063/1.1620994
R.M. Olson and M.S. Gordon, J. Chem. Phys. 124, 081105 (2006). https://doi.org/10.1063/1.2176611
S.J. Jenkins and G.P. Srivastava, J. Phys. Condens. Matter 8, 6641 (1996). https://doi.org/10.1088/0953-8984/8/36/016
M.S. Gordon, M.W. Schmidt, G.M. Chaban et al., Chem. Phys. 110, 4199 (1999).
S.C.A. Gay and G.P. Srivastava, Phys. Rev. B 60, 1488 (1999). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.60.1488
H. Tamura and M.S. Gordon, J. Chem. Phys. 119, 10318 (2003). https://doi.org/10.1063/1.1617973
H.M. Tutuncu, G.P. Srivastava, and T.T. Guzelsoy, Surf. Sci. 566–568, 900 (2004). https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.135
P. Kruger and J. Pollmann, Phys. Rev. Lett. 74, 1155 (1995). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.74.1155
K. Sakamoto, K. Kyoya, K. Miki et al., Jpn. J. Appl. Phys. 32, L204 (1993). https://doi.org/10.1143/JJAP.32.L204
A.G. Mark, J.A. Lipton-Duffin, J.M. MacLeod et al., J. Phys. Condens. Matter. 17, 571 (2005). https://doi.org/10.1088/0953-8984/17/4/001
I.F. Koval, P.V. Melnik, N.G. Nakhodkin et al., Surf. Sci. 331–333, 585 (1995). https://doi.org/10.1016/0039-6028(95)00322-3
M.Yu. Pyatnitskii, I.F. Koval', P.V. Mel'nik et al., Teor. Eksp. Khim. 32 168 (1996).
D.H. Rich, F.M. Leibsle, A. Samsavar et al., Phys. Rev. B 39, 12758 (1989). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.39.12758
B.S. Swartzentruber, A.P. Smith, and H. Jonsson, Phys. Rev. Lett. 77, 2518 (1996). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.77.2518
H.J.W. Zandvliet, B. Poelsema, and B.S. Swartzentruber, Phys. Today 54, 40 (2001). https://doi.org/10.1063/1.1397393
Z. Zhang, F. Wu, H.J.W. Zandvliet et al., Phys. Rev. Lett. 74, 3644 (1995). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.74.3644
H.J.W. Zandvliet, T.M. Galea, E. Zoethout et al., Phys. Rev. Lett. 84, 1523 (2000). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.84.1523
T.M. Galea, C. Ordas, E. Zoethout et al., Phys. Rev. B 62, 7206 (2000). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.7206
W. Wulfhekel, B.J. Hattink, H.J.W. Zandvliet et al., Phys. Rev. Lett. 79, 2494 (1997). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.79.2494
E. Zoethout, H.J.W. Zandvliet, W. Wulfhekel et al., Phys. Rev. B 58, 16167 (1998). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.58.16167
Y.W. Mo, Science 261, 886 (1993). https://doi.org/10.1126/science.261.5123.886
M. Naitoh, M. Takei, S. Nishigaki et al., Surf. Sci. 482– 485, 1440 (2001).
S.Yu. Bulavenko, I.F. Koval, P.V. Melnik et al., Surf. Sci. 507–510, 119 (2002). https://doi.org/10.1016/S0039-6028(02)01186-X
S.Yu. Bulavenko, I.F. Koval, P.V. Melnik et al., Surf. Sci. 482–485, 370 (2001). https://doi.org/10.1016/S0039-6028(01)00804-4
M. Naitoh, H. Shimaya, S. Nishigaki et al., Appl. Surf. Sci. 142, 38 (1999). https://doi.org/10.1016/S0169-4332(98)00635-7
J.H.G. Owen, K. Miki, and D.R. Bowler, J. Mater. Sci. 41, 4568 (2006). https://doi.org/10.1007/s10853-006-0246-x
S. Rogge, R.H. Timmerman, P.M.L.O. Scholte et al., Phys. Rev. B 62, 15341 (2000). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.15341
K. Chuasiripattana and G.P. Srivastava, Phys. Rev. B 71, 153312 (2005). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.71.153312
T. Afanasieva, I. Koval, M. Nakhodkin, in Proceed. of the Int. Sci. Conference "Physical and Chemical Principles of Formation and Modification of Micro- and Nanostructures" (FMMN'2008), Kharkiv, Ukraine, 8–10 October 2008, Vol. 2, p. 471.
X.R. Qin and B.S. Swartzentruber, Phys. Rev. Lett. 842, 4645 (2000). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.84.4645
L.M. Sanders, R. Stumpf, T.R. Mattsson et al., Phys. Rev. Lett. 91, 206104 (2003). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.91.206104
C.C. Fu, M. Weissmann, and A. Saul, Surf. Sci. 481, 97 (2001). https://doi.org/10.1016/S0039-6028(01)01002-0
B.S. Swartzentruber, Phys. Rev. Lett. 76, 459 (1996). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.76.459
B. Borovsky, M. Krueger, and E. Ganz, Phys. Rev. Lett. 78, 4229 (1997). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.78.4229
Z.Y. Lu, F. Liu, C.Z. Wang et al., Phys. Rev. Lett. 85, 5603 (2000). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.85.5603
Z.Y. Lu, C.Z. Wang, and K.M. Ho, Phys. Rev. B 62, 8104 (2000). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.8104
T.V. Afanasieva, S.Yu. Bulavenko, I.F. Koval et al., J. Appl. Phys. 93, 1452 (2003). https://doi.org/10.1063/1.1533107
T.R. Mattsson, B.S. Swartzentruber, R. Stumpf et al., Surf. Sci. 536, 121 (2003). https://doi.org/10.1016/S0039-6028(03)00565-X
T. Afanasieva, I. Koval, M. Nakhodkin, Visn. Kyiv. Univ. Ser. Fiz. Mat. Nauky, N 1, 207 (2007).
T.V. Afanasieva, I.F. Koval, N.G. Nakhodkin et al., Surf. Sci. 482-485, 702 (2001). https://doi.org/10.1016/S0039-6028(01)00805-6
T. Afanasieva, I. Koval, M. Nakhodkin, in Proceed. of the Int. Sci. Conference "Physical and Chemical Principles of Formation and Modification of Micro- and Nanostructures" (FMMN'2010), Kharkiv, Ukraine, 6–8 October 2010, Vol. 2, p. 484.
T.V. Afanasieva, A.A. Greenchuck, I.P. Koval et al., Ukr. Fiz. Zh. 56, 240 (2011).
T.V. Afanasieva, I.F. Koval, and N.G. Nakhodkin, Surf. Sci. 507-510C, 788 (2002).
T. Hanada and M. Kawai, Surf. Sci. 242, 137 (1991). https://doi.org/10.1016/0039-6028(91)90255-Q
J.K. Cho, M.H. Kang, K. Terakura, Phys. Rev. B 55, 15464 (1997). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.55.15464
G. Li and Y.C. Chang, Phys. Rev. B 50, 8675 (1994). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.50.8675
T.V. Afanasieva, I.F. Koval, Yu.A. Len et al., Ukr. Fiz. Zh. 50, 685 (2005).
T.V. Afanasieva, V.O. Glavadski, I.F. Koval et al., Ukr. Fiz. Zh. 46, 1280 (2001).
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
