Структура 180-градусної доменної стiнки поблизу поверхнi ферроiкiв
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe60.07.0627Ключові слова:
ferroics, phenomenological approach, domain wall bending, built-in surface fieldАнотація
Розглянуто вплив вбудованого поверхневого поля на профiль 180 градусної доменної стiнки у власних ферроiках в рамках феноменологiчного пiдходу Ландау–Гiнзбурга–Девоншира. Вбудоване поверхневе поле може бути створене рiзними фiзичними механiзмами в сегнетоеластичних, сегнетоелектричних i антиферомагнiтних середовищах. Наприклад, це може бути компонента тензора поверхневих напружень для сегнетоеластiков з вiдповiдним параметром порядку, компонентами тензора деформацiї. Передбачений ефект вигину доменної стiнки поблизу поверхнi, викликаний вбудованим полем, i отриманi вiдповiднi наближенi аналiтичнi вирази для його опису.
Посилання
G. Catalan, J. Seidel, R. Ramesh, and J.F. Scott, Rev. Mod. Phys. 84, No. 1, 119 (2012).
http://dx.doi.org/10.1103/RevModPhys.84.119
Y. Gu, M. Li, A.N. Morozovska, Yi Wang, E.A. Eliseev, V. Gopalan, and L.-Q. Chen, Phys. Rev. B 89, 174111 (2014).
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.89.174111
D. Lee, R.K. Behera, P. Wu, H. Xu, S.B. Sinnott, S.R. Phillpot, L.Q. Chen, and V. Gopalan, Phys. Rev. B 80, 060102(R) (2009).
R.K. Behera, C.-W. Lee, D. Lee, A.N. Morozovska, S.B. Sinnott, A. Asthagiri, V. Gopalan, and S.R. Phillpot, J. Phys.: Cond. Matter 23, 175902 (2011).
http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/23/17/175902
A.V. Ievlev, S. Jesse, A.N. Morozovska, E. Strelcov, E.A. Eliseev, Y.V. Pershin, A. Kumar, V.Ya Shur, and S.V. Kalinin, Nature Phys. 10, 59 (2014).
http://dx.doi.org/10.1038/nphys2796
L.J. McGilly, P. Yudin, L. Feigl, A.K. Tagantsev, and N. Setter, Nature Nanotechn. 10, 145 (2015).
http://dx.doi.org/10.1038/nnano.2014.320
L. Tian, A. Vasudevarao, A.N. Morozovska, E.A. Eliseev, S.V. Kalinin, and V. Gopalan. J. Appl. Phys. 104, 074110 (2008).
http://dx.doi.org/10.1063/1.2979973
Y. Daimon and Y. Cho, Jap. J. Appl. Phys. 45, L1304 (2006).
http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.45.L1304
Y. Daimon and Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 90, 192906 (2007).
http://dx.doi.org/10.1063/1.2737906
E.A. Eliseev, A.N. Morozovska, S.V. Kalinin, Y.L. Li, J. Shen, M.D. Glinchuk, L.-Q. Chen, and V. Gopalan, J. Appl. Phys. 106, 084102 (2009).
http://dx.doi.org/10.1063/1.3236644
The formation of a layer is related to the finite distance between the layers of screening charge and bond charges due the presence of either dead layer or intrinsic size effects.
E.A. Eliseev, A.N. Morozovska, Y. Gu, Albina Y. Borisevich, L.-Q. Chen, V. Gopalan, and S.V. Kalinin, Phys. Rev. B 86, 085416 (2012).
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.86.085416
J. Novak and E.K.H. Salje, J. Phys.: Cond. Matter 10, L359 (1998).
http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/10/21/005
W.T. Lee, E.K.H. Salje, and U. Bismayer, J. Phys.: Cond. Matter 14, 7901 (2002).
http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/14/34/308
W.T. Lee, E.K.H. Salje, and U. Bismayer, Phys. Rev. B 72, 104116 (2005).
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.72.104116
I. Rychetsky, J. Phys.: Cond. Matter 9, 4583 (1997).
http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/9/22/010
L.D. Landau, L.P. Pitaevskii, and E.M. Lifshitz, Electrodynamics of Continuous Media (Butterworth-Heinemann, Oxford, 1984).
M.E. Lines and A.M. Glass, Principles and Applications of Ferroelectrics and Related Phenomena (Clarendon Press, Oxford, 1977).
Ch. Kittel, Introduction to Solid State Physics (Wiley, New York, 1974).
M.D. Glinchuk and A.N. Morozovska, J. Phys.: Cond. Matter 16, 3517 (2004).
http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/16/21/002
A.M. Bratkovsky, and A.P. Levanyuk, Phys. Rev. Lett. 94, 107601 (2005).
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.94.107601
G. Gerra, A.K. Tagantsev, and N. Setter, Phys. Rev. Lett. 94, 107602 (2005).
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.94.107602
A.P. Levanyuk and S.A. Minyukov, Sov. Phys. Solid State 25, 2007 (1983).
A.K. Tagantsev, Phys. Rev. B 34, 5883 (1986).
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.34.5883
A. Hubert and R. Schafer, Magnetic Domains: The Analysis of Magnetic Microstructures (Springer, Berlin, 1998).
V.I. Marchenko, and A.Ya. Parshin, Sov. Phys. JETP 52, 129 (1980).
V.A. Shchukin and D. Bimberg, Rev. Mod. Phys. 71, 1125 (1999).
http://dx.doi.org/10.1103/RevModPhys.71.1125
Y. F. Gao and Z. Suo, J. of Appl. Mech. 69, 419 (2002).
http://dx.doi.org/10.1115/1.1469000
G. Catalan, L.J. Sinnamon, and J.M. Gregg, J. Phys.: Cond. Matter 16, 2253 (2004).
http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/16/13/006
P. Zubko, G. Catalan, A. Buckley, P.R. Welche, and J.F. Scott, Phys. Rev. Lett. 99, 167601 (2007).
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.99.167601
K. Oura, V.G. Lifshits, A.A. Saranin, A.V. Zotov, and M. Katayama, Surface Science: An Introduction (Springer, Berlin 2003).
http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-05179-5
M.I. Kaganov and A.N. Omelyanchouk, Sov. Phys. JETP 34, 895 (1972).
R. Kretschmer and K. Binder, Phys. Rev. B 20, 1065 (1979).
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.20.1065
C.-L. Jia, V. Nagarajan, J.-Q. He, L. Houben, T. Zhao, R. Ramesh, K. Urban, and R. Waser, Nature Mat. 6, 64 (2007).
http://dx.doi.org/10.1038/nmat1808
R.K. Dodd, J.C. Eilbeck, J.D. Gibbon and H.C. Morris, Solitons and Nonlinear Wave Equations (Academic Press, London, 1984).
A.N. Morozovska, S.V. Svechnikov, E.A. Eliseev, B.J. Rodriguez, S. Jesse, and S.V. Kalinin, Phys. Rev. B 78, 054101 (2008).
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.










