Поляризацiйнi залежностi фотоструму в p-GaAs
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe61.11.0987Ключові слова:
photovoltaic effect, semiconductor, polarization, photocurrent, Hamiltonian, momentum operator, energy spectrum, light absorption coefficientАнотація
Отримано вираз для спектральної i температурної залежностей струму фотонного механiзму лiнiйного фотогальванiчного ефекту в напiвпровiдниках типу арсенiду галiю дiркової провiдностi, зумовлений наявнiстю доданкiв рiзної парностi в ефективному гамiльтонiанi дiрок. Зiставленi теоретичнi та експериментальнi результати.
Посилання
E.L. Ivchenko, G.E. Pikus. Superlattices and Other Heterostructures: Symmetry and Optical Phenomena (Springer, 1997) [ISBN: 978-3-642-64493-1 (Print) 978-3-642-60650-2 (Online)
V.I. Belinicher, E.L. Ivchenko, B.I. Sturman. Kinetic theory of the shift photogalvanic effect in piezoelectrics. Zh. Eksp. Teor. Fiz. ` 83, 649 (1982).
E.L. Ivchenko, G.E. Pikus. In Problems of Modern Physics (Nauka, 1990) (in Russian).
B.I. Sturman, V.M. Fridkin. The Photovoltaic and Photorefractive Effects in Noncentrosymmetric Materials (Gordon and Breach, 1992).
R.Ya. Rasulov, Yu.E. Salenko, D. Kambarov. Linear photovoltaic effect in gyrotropic crystals. Semiconductors 36, 141 (2002) https://doi.org/10.1134/1.1453426
J.M. Doviak, S.Kothari. In Proceedings of the 12th International Conference on the Physics of Semiconductors (Stutgart, 1974).
K.H. Hermann, D. Vogel. In Proceedings of the 11th International Conference on the Physics of Semiconductors (Warsaw, 1972).
A.F. Gibson, C.B. Hatch, M.F. Kimmitt, S. Kothari, A. Serafetinides. Optical rectification and photon drag in n-type gallium phosphide. J. Phys. C: Solid State Phys. 10, 905 (1977) https://doi.org/10.1088/0022-3719/10/6/020
V.I. Belincher, B.I. Sturman. The photogalvanic effect in media lacking a center of symmetry. Sov. Phys. Usp. 23, 199 (1980) [DOI: 10.1070/PU1980v023n03ABEH004703
E.L. Ivchenko, G.E. Pikus, R.Ya. Rasulov. Linear photogalvanic effect in p-type A3B5 semiconductor. Shift contribution. Fiz. Tverd. Tela 26 (11), 3362 (1984).
R.Ya. Rasulov, U. Ganiev, Kh.A. Sidikova. The theory of photogalvanic effects in crystals with complex band structure at the two-photon light absorption. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 27, 635 (1993).
A.V. Andrianov, E.L. Ivchenko, G.E. Pikus, R.Ya. Rasulov. Linear photogalvanic effect in hole gallium arsenide. Zh. Eksp. Teor. Fiz. ` 81, 2080 (1981).
G.L. Bir, G.E. Pikus. Symmetry and Strain-Induced Effects in Semiconductors (Wiley, 1974).
E.L. Ivchenko, R.Ya. Rasulov. Symmetry and the Real Band Structure of Semiconductors (Fan, 1989) (in Russian).
L.E. Vorob’ev, S.N. Danilov, E.L. Ivchenko, M.E. Levinshtein, D.A. Firsov, V.A. Shalygin. Kinetic and Optical Phenomena in Strong Electric Fields in Semiconductors and Nanostructures (Nauka, 2000) (in Russian).
L.E. Vorob’ev, E.L. Ivchenko, D.A. Firsov, V.A. Shalygin. Optical Properties of Nanostructures (Nauka, 2001) (in Russian).
E.L.Ivchenko, S.D. Ganichev. Spin Photogalvanics in Spin Physics in Semiconductors (Springer, 2008).
E.L. Ivchenko. Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures (Alpha Sci. Intern., 2005).
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
