Процеси перенесення заряду в системi сплавiв (SnS)1−x(PrS)x
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe62.10.0883Ключові слова:
solid solutions, chalcogenides, electrical conductivity, donor, Hall coefficient, valence band, light and heavy holesАнотація
Дослiджено взаємодiї в системi SnS–PrS, i за результатами комплексного фiзико-хiмiчного аналiзу визначена область розчинностi PrS у SnS. За допомогою скануючого зондового мiкроскопа в атомно-силовому режимi вивчено мiкрорельєф поверхнi монокристалiв PrxSn1−xS, дослiдженi електропровiднiсть q i коефiцiєнт Холла R в широкому iнтервалi температур 80–800 К, проаналiзованi процеси переносу заряду.
Посилання
D.I. Bletskan. Material synthesis and growth of the single crystals of the type AIVBVI and AIVBIV 2 . Chalcogen. Lett. 4, 1 (2007).
Physical Properties of Chalcogenides of Rare-Earth Elements, edited by V.P. Zhuze (Nauka, 1973) (in Russian).
E.I. Yarembash, A.A. Eliseev. Chalcogenides of Rare-Earth Elements (Nauka, 1975) (in Russian).
F.F. Aliev, G.A. Gasanov. Influence of samarium on thermoelectric Q-factor of Sm Pb1− Te solid solutions. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 46, 313 (2012) (in Russian).
P.D. Antunez, J.J. Buckley, R.L Brutchey. Tin and germanium monochalcogenide IV-VI semiconductor nanocrystals for use in solar cells. Nanoscale 3, 2399 (2011).
https://doi.org/10.1039/c1nr10084j
K.N. Reddy, K. Ramesh, R. Ganesan, R.K.T. Reddy, K.R. Gunasekhar, E.S.R. Gopal. Synthesis and characterization of co-evaporated tin sulfide thin films. Appl. Phys. A 83, 133 (2006).
https://doi.org/10.1007/s00339-005-3475-y
A. Luque, A. Marti. Handbook of Photovoltaic Science and Engineering (Wiley, 2003).
https://doi.org/10.1002/0470014008
V.F. Gremenok, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', S.A. Bashkirov, V.A. Ivanov. Photosensitive thin-film Schottky barriers In/p-Pb Sn1− S: creation and properties. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 45, 1084 (2011) (in Russian).
K.N. Reddy, M. Devika, E.S.R. Gopal. Review on tin (II) sulfide (SnS) material: synthesis, properties, and applications. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 40, 359 (2015).
https://doi.org/10.1080/10408436.2015.1053601
J. Wang, G. Lian, Z. Xu et al. Growth of large-size SnS thin crystals driven by oriented attachment and applications to gas sensors and photodetectors. ACS Appl. Mater. Interfaces 8, 9545 (2016).
https://doi.org/10.1021/acsami.6b01485
J.W. Orton, P. Blood. The Electrical Characterization of Semiconductors: Measurement of Minority Carrier Properties (Academic Press, 1990).
V.L. Mironov. Fundamentals of Scanning Probe Microscopy (Tekhnosfera, 2004), p. 197 (in Russian).
A.A. Radtsig, B.M. Smirnov. Reference Data on Atoms, Molecules, and Ions (Springer, 1986).
E.V. Kuchis. Galvano-Magnetic Effects and Methods of Their Research (Radio i Svyaz', 1990) (in Russian).
R.A. Smith. Semiconductors (Cambridge Univ. Press (1978).
J.I. Huseynov, M.I. Murguzov, Sh.S. Ismailov. Specific features of self-compensation in Er Sn1− Se solid solutions. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 47, 298 (2013) (in Russian).
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
