Мiкроструктура тонких композитних плiвок Si–Sn

Автор(и)

  • V. B. Neimash Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. M. Poroshin Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • A. M. Kabaldin Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. O. Yukhymchuk V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • P. E. Shepelyavyi V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. A. Makara Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics
  • S. Yu. Larkin Public Joint Stock Company “Research and Production Concern Nauka”

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe58.09.0865

Ключові слова:

мiкроструктура тонких композитних плiвок, метод Оже, метод раманiвської спектроскопiї

Анотація

Методами оже та раманiвської спектроскопiї, рентгенiвського флуоресцентного аналiзу та електронної мiкроскопiї дослiджено особливостi мiкроструктури тонких плiвок сплаву Si–Sn, виготовлених термовакуумним спiввипаровуванням Si та Sn. Дослiджено властивостi плiвок з вмiстом Sn в iнтервалi вiд 1 до 5 вагових вiдсоткiв. Встановлено суттєвий вплив олова на формування мiкрорельєфу поверхнi плiвок та нанокристалiв у аморфнiй матрицi. Квазiсферичнi утворення на поверхнi плiвок можуть сягати розмiрiв порядку 100 нм. Частка нанокристалiчної кремнiєвої фази в плiвцi може досягати 90% її об’єму. Проаналiзовано роль умов та швидкостi росту плiвок у розподiлi концентрацiї Sn та технологiчних домiшок С i О по поверхнi та товщинi плiвок.

Завантаження

Опубліковано

2018-10-11

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають

1 2 > >>