О. Вакуленко, С. Головинський, С. Кондратенко, І. Гринь, і В. Стрільчук, «Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками», Ukr. J. Phys., вип. 56, вип. 4, с. 381, Лют 2022.