[1]
Вакуленко, О. et al. 2022. Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками. Український фізичний журнал. 56, 9 (Лют 2022), 940. DOI:https://doi.org/10.15407/ujpe56.9.940.