[1]
Крайчинський, А. et al. 2022. Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні. Український фізичний журнал. 56, 9 (Лют 2022), 922. DOI:https://doi.org/10.15407/ujpe56.9.922.