Структури і профілі тонких KY3F10:Ho3+ плівок, нанесених імпульсним лазерним впливом
Pulsed laser deposition of thin films
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe63.2.182Ключові слова:
Thickness profile, gas dynamic equations, plasma plumeАнотація
Тонкi KY3F10 :Ho3+ плiвки виготовленi методом iмпульсного лазерного напилення iз застосуванням Nd-YAG лазера (266 нм, тривалiсть iмпульсу 10 нс, частота повторення 2 Гц) на 1 см × 1 см пiдкладку з кремнiю в вакуумi для рiзних вiдстаней мiж мiшенню i пiдкладкою. Рентгенiвськi дослiдження показали, що плiвки кристалiзуються в тетрагональну полiкристалiчну фазу KY3F10 (вiдповiдно до кар-ти № 27-0465 Комiтету з дифракцiйних стандартiв). Наведено результати розрахункiв профiлiв з урахуванням деяких експериментальних параметрiв напилення. У припущеннi елiпсоїдального поширення струменя плазми, профiль товщини плiвки оцiнений рiшенням газодинамiчних рiвнянь у разi адiабатичного поширення струменя плазми у вакуумi. Результати дають переважний напрямок пучка вперед, що добре узгоджуються з експериментом. Теорiя i експеримент показують зменшення товщини плiвки при збiльшеннi вiдстанi мiж мiшенню i пiдкладкою, що вiдповiдає зменшенню швидкостi напилення. Товщина плiвки також зменшується для вiдносно великих радiальних кутiв щодо нормалi до пiдкладки.
Посилання
<a href="https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2013.01.214">https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2013.01.214</a>
</li>
<li>A.A. Voevodin, J.G. Jones, J.S. Zabinski. Characterization of ZrO2/Y2O3 laser ablation plasma in vacuum, oxygen, and argon environments. J. Appl. Phys. 88, 1088 (2000).
<a href="https://doi.org/10.1063/1.373781">https://doi.org/10.1063/1.373781</a>
</li>
<li>P. Orgiani et al. Physical properties of La0.7Ba0.3MnO3?б complex oxide thin films grown by pulsed laser deposition technique. Appl. Phys. Lett. 96, 032501 (2010).
<a href="https://doi.org/10.1063/1.3292588">https://doi.org/10.1063/1.3292588</a>
</li>
<li>S.I. Anisimov, D. Bauerle, B.S. Luk'yanchuk. Gas dynamics and film profiles in pulsed-laser deposition of materials. Phys. Rev. B 48, 12076 (1993).
<a href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.48.12076">https://doi.org/10.1103/PhysRevB.48.12076</a>
</li>
<li>R.K. Singh, J. Narayan. Pulsed-laser evaporation technique for deposition of thin films: Physics and theoretical model. Phys. Rev. B 41, 8843 (1990).
<a href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.41.8843">https://doi.org/10.1103/PhysRevB.41.8843</a>
</li>
<li>M.K. Matzen, R.L. Morse. Structure and observable characteristics of laser driven ablation. Phys. Fluids 22, 654 (1979).
<a href="https://doi.org/10.1063/1.862636">https://doi.org/10.1063/1.862636</a>
</li>
<li>A.O. Dikovska et al. Thin ZnO films produced by pulsed laser deposition. J. Optoelectron. Adv. M. 7, 1329 (2005).
</li>
<li>B. Cullity. Elements of X-ray Diffraction (Addison-Wesley, 1956).
</li>
<li>J.-H. Kim, S. Lee, H.-S. Im. The effect of different ambient gases, pressures, and substrate temperatures on TiO2 thin films grown on Si(100) by laser ablation technique. Appl. Phys. A 69, 629 (1999).
<a href="https://doi.org/10.1007/s003390051492">https://doi.org/10.1007/s003390051492</a>
</li>
<li> Zhiyun Zhang, Chonggao Bao, Shengqiang Ma, Lili Zhang, Shuzeng Hou. Effects of deposition power and pressure on the crystallinity of Al-doped ZnO thin at glass substrates by low temperature RF magnetron sputtering. J. Aust. Ceram. Soc. 48, 214 (2012).
</li>
<li> Y. Wang, W. Tang, L. Zhang. Crystalline size effects on texture coefficient, electrical and optical properties of sputter-deposited Ga-doped ZnO thin films. J. Mater. Sci. Technol. 31, 175 (2015).
<a href="https://doi.org/10.1016/j.jmst.2014.11.009">https://doi.org/10.1016/j.jmst.2014.11.009</a>
</li>
<li> J.A. Rivera Marquez et al. Effect of surface morphology of ZnO electrodeposited on photocatalytic oxidation of methylene blue dye. Part I: Analytical study. Int. J. Electrochem. Sci. 6, 4059 (2011).
</li>
<li> S. Abdul-Jabbar et al. Influence of substrate temperature on the structural, optical and electrical properties of CdS thin films deposited by thermal evaporation. Results in Physics 3, 173 (2013).
<a href="https://doi.org/10.1016/j.rinp.2013.08.003">https://doi.org/10.1016/j.rinp.2013.08.003</a>
</li>
<li> A.T.T. Mostako, A. Khare. Effect of target–substrate distance onto the nanostructured rhodium thin films via PLD technique. Appl. Nanosci. 2, 189 (2012).
<a href="https://doi.org/10.1007/s13204-012-0081-0">https://doi.org/10.1007/s13204-012-0081-0</a></ol>
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
