Вадим Євгенович Лашкарьов – визначний український фізик ХХ століття, першовідкривач p-n-переходу в напівпровідниках (до 120-річчя від дня народження)
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe68.10.705Ключові слова:
В.Є. Лашкарьов, напiвпровiдники, p-n-перехiд, контакт, поверхняАнотація
Описано життєвий i науковий шлях визначного українського вченого ХХ столiття, засновника Iнституту фiзики напiвпровiдникiв НАН України В.Є. Лашкарьова, який у 1941 роцi надрукував першу в свiтi статтю, де описано p-n-перехiд у закисi мiдi. Наголос зроблено на особливостях його наукової манери, ролi у вихованнi нових поколiнь українських фiзикiв, особистостi вченого.
Посилання
V.G. Lytovchenko, M.V. Strikha. Vasyl Lyashenko, an outstanding Ukrainian physicist, a founder of the scientific school of surface physics. Svitoglyad No. 2, 28 (2016) [in Ukrainian].
V.Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of the NAS of Ukraine 1960-2020. Edited by O.Ye. Belyaev, V.P. Kladko, P.S. Smertenko, V.S. Solntsev, T.A. Kinko, Y.P. Kyyak (Akademperiodyka, 2020) [in Ukrainian].
B.M. Malynovskyi. The known and unknown in the history of information technologies. Visn. NAN Ukr. No. 1, 40 (2001) [in Ukrainian].
V.G. Lytovchenko, M.V. Strikha. 100 years of semiconductor science. The Ukrainian contribution. Europhys. News 45, 5 (2014).
https://doi.org/10.1051/epn/2014101
M.V. Strikha. The centennial of semiconductor science: origins and Ukrainian contribution. Ukr. J. Phys. 59, 831 (2014).
https://doi.org/10.15407/ujpe59.08.0831
V.G. Litovchenko. Academician of the NAS of Ukraine Vadym Evgenovych Lashkaryov: the outstanding physicist of the 20th century, the discoverer of the p-n junction. Ukr. J. Phys. 61, 181 (2016).
https://doi.org/10.15407/ujpe61.02.0181
V.S. Solntsev, P.S. Smertenko. Scientific contribution of Vadym Yevhenovych Lashkaryov to the development of semiconductor physics and technology (to the 120th anniversary of his birthday). Nauka Naukozn. N 3 (121), 166 (2023) [in Ukrainian].
https://doi.org/10.15407/sofs2023.03.166
N.M. Amosov. Voices of Times (Oranta-Press, 1998) (in Russian).
V.G. Litovchenko. My scientific contacts with V.Ye. Lashkarev. Ukr. J. Phys. 59, 826 (2014).
https://doi.org/10.15407/ujpe59.08.0826
V.I. Strikha. Vadym Yevhenovych Lashkaryov, the patriarch of semiconductor physics. In: Vitalii Ilarionovych Strikha (1931-1999). 2nd edition. Edited by M.V. Strikha (Dukh i Litera, 2021), p. 106 [in Ukrainian].
W. Laschkarew. Zur Theorie der Gravitation. Z. Phys. 35, 473 (1926).
https://doi.org/10.1007/BF01385424
V.P. Linnyk, V.Ye. Lashkaryov. Methods of focusing Xrays. Ukr. Fiz. Zap. 1, 5 (1926) [in Ukrainian].
W. Laschkarew, G. Kuzmin. Effect of temperature on diffraction of slow electrons and its application. Nature 134, 62 (1934).
https://doi.org/10.1038/134062a0
V.E. Lashkarev. Electron Diffraction (GTTI, 1933) [in Russian].
W. E. Laschkarew. Inner potentials of crystals and the electron diff raction. Trans. Faraday Soc. 31, 1081 (1935).
https://doi.org/10.1039/tf9353101081
B. Kyyak, O. Proskura. The fate of academician Oleksandr Goldman. Z Arkhiviv VChK-GPU-NKVD-KGB No. 1-2, 253 (1997) [in Ukrainian].
W. Schottky. Halbleitertheorie der Sperrschicht. Naturwissenschaften 26, 843 (1938).
https://doi.org/10.1007/BF01774216
N.F. Mott. Note on the Contact between a Metal and an Insulator or Semiconductor. Proc. Cambr. Philos. Soc. 34, 568 (1938).
https://doi.org/10.1017/S0305004100020570
V.E. Lashkaryov. Investigation of a barrier layer by a thermoprobe method. Izv. Akad. Nauk SSSR Ser. Fiz. 5, 442 (1941) [in Russian]
English translation: Ukr. J. Phys. 53, Special issue, 53 (2008).
J. Bardeen, W.H. Brattain. The transistor, a semiconductor triode. Proc. IEEE 86, 29 (1998).
https://doi.org/10.1109/JPROC.1998.658753
R.S. Ohl. Light-Sensitive Electric Device. U.S. Patent 2402662.
W. Shockley. The Theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors. Bell Lab. Techn. J. 28, 435 (1949).
https://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1949.tb03645.x
V. Guo, T. Liu, S. Yu. Multifunctional quantum thermal device utilizing three qubits. Phys. Rev. E 99, 032112 (2019).
https://doi.org/10.1103/PhysRevE.99.032112
M.G. Nakhodkin. My friend Vitaly Strikha. In: Vitalii Ilarionovych Strikha (1931-1999). 2nd edition. Edited by M.V. Strikha (Dukh i Litera, 2021), p. 283 [in Ukrainian].
V.Ye. Lashkaryov, V. I. Lyashenko. Electronic states on the surface semiconductor. In: Collection of Works Dedicated to the 70th Anniversary of A.F. Ioffe (Izd. AN SSSR, 1950) [in Russian].
W. H. Brattain, J. Bardeen. Surface properties of germanium. Bell Syst. Techn. J. 32, 1 (1953).
https://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1953.tb01420.x
V.Ye. Lashkaryov, N.M. Omelyanovska, V.G. Lytovchenko, R.M. Bondarenko, V.I. Strikha. Dependence of the lifetime of external current carriers on the concentration of antimony impurities in germanium. In: Scientific Yearbook 1956 (Kyiv State Univ. Publ. House, 1957), p. 495 [in Ukrainian].
V.G. Lytovchenko. Memory of Vitalii Ilarionovych Strikha. In Vitalii Ilarionovych Strikha (1931-1999). 2nd edition. Edited by M.V. Strikha (Dukh i Litera, 2021), p. 279 [in Ukrainian].
N.O. Virchenko. Zaslavska Iryna Georgievna. In: Encyclopedia of Modern Ukraine. Edited by I.M. Dzyuba et al. (NAS of Ukraine, 2001-2023) [in Ukrainian].
A. Gorska. The Soul of the Ukrainian Sixties Movement. Edited by L. Ognieva, O. Zaretskyi (Smoloskyp, 2015), p, 310 [in Ukrainian].
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
