Розробка технології виготовлення нанорозмірних плівок з неоднорідною структурою методом іонно-плазмового осаджування
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe68.3.210Ключові слова:
сiлiциди металiв, рентгенiвський фазовий аналiз, iндекси Мiллера, мiжплощинна вiдстань, структура монокристала, тiтанат барiю, аморфна фаза, кристалiчна фазаАнотація
Дослiдження плiвок, що мiстять вузькощiлиннi напiвпровiдники, є дуже перспективним напрямком, пов’язаним iз виробництвом теплових сенсорiв. Ми розглядаємо можливiсть створення плiвкових покриттiв iз BaTiO3 i сiлiцидiв елементiв Ba, Na, Ni, Co, Pd, Mn та P iонно-плазмовим методом. Такi покриття отримано нами на поверхнях кристалiчного кремнiю та слюди. Дослiджено їхнi електроннi та рентгеноструктурнi характеристики. Визначено залежнiсть властивостей плiвкових покриттiв вiд умов їх створення.
Посилання
Electronic Structure and Physical Properties of NanoSized Heterostructures. Edited by M.T. Normuradov, B.E. Umirzakov (Karshi, 2021) (in Russiam).
T.I. Danilina, P.E. Troyan, Yu.V. Sakharov, Yu.S. Zhidik. Ion-plasma methods of production of nanostructures. Doklady TUSUR 20 (3), 40 (2017).
https://doi.org/10.21293/1818-0442-2017-20-3-40-45
S.A. Mulenko, Yu.V. Kudryavtsev, N.T. Gorbachuk, A. Luces, A.P. Karikato, V.P. Veiko, A.A. Petrov, V.A. Chuiko. Deposition of thin films of metal silicides by the PLD and LIFT methods. Izv. Vyssh. Uch. Zaved. Priborostr. 51 (4), 37 (2008).
P.A. Kholov, N.V. Gaponenko, K.V. Sheidakov et al. Condensed structures on the basis of barium titanate films formed by the sol-gel method. Doklady BGUIR 81, 74 (2020).
https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-1-74-80
Sh.T. Khozhiev, I.O. Kosimov, B.B. Gaibnazarov. Problems solvable by X-ray powder diffraction. In: Reports Presented at the II International Sci.-Theor. Conference "Topical Problems of Natural Science", May 19, 2021 (Nuks, 2021), p. 159 (in Russian).
M.T. Normuradov, D.A. Normurodov, K.T. Davronov, N.M. Mustafayeva. Creation of new materials based on dielectric films using low-energy ion implantation. Euroasian J. Semicond. Sci. and Engineering 1 (6), 8 (2019).
B.V. Nekrasov. Foundations of General Chemistry (Khimiya, 1973), p. 146 (in Russian).
L. Smrcok, V. Langer, M. Halvarsson, S. Ruppi. A new Rietveld refinement of к-Al2O3. Zeitschrift fuer Kristallographie 216, 409 (2001).
https://doi.org/10.1524/zkri.216.7.409.20361
Yu.N. Yur'ev. Properties of Thin Films of Ti Oxide (TiO2) and Amorphous Carbon (aC) Deposited by a Dual Magnetron Distributing System. Author's thesis of Cand. Dissert. (Techn. Sci.) (Tomsk Univ., 2016) (in Russian).
M. Guti'errez, A. Taga, B. Johansson. Theoretical structure determination of γ-Al2O3. Phys. Rev. B 65, 012101 (2001).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.65.012101
P.A. Kholov, N.V. Gaponenko, K.V. Sheidakova, V.I. Krymsky, V.A. Filipenya, T.V. Petlitskaya, V.V. Kolos, A.N. Petlitsky. Tech. Capacitor structures based on barium titanate films formed by the Sol-Gel method. Reports of BSUIR 18 (1), 74 (2020).
https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-1-74-80
M.Yu. Tashmetov, F.K. Khallokov, N.B. Ismatov, I.I. Yuldashova, I. Nuritdinov, S.Kh. Umarov. Study of the influence of electronic radiation on the surface, structure and Raman spectrum of a TlInS2 single crystal. Phys. B 613, 412879 (2021).
https://doi.org/10.1016/j.physb.2021.412879
M.Yu. Tashmetov, F.K. Khallokov, N.B. Ismatov, I.I. Yuldashova, S.Kh. Umarov. Electronic irradiation of TlInSxSe2−x (x = 1): Morphology, structure and raman scattering. Intern. J. Modern Phys. B 35 (28), 2150289 (2021).
https://doi.org/10.1142/S0217979221502891
M.Yu. Tashmetov, F.K. Khallokov, N.B. Ismatov, I.I. Yuldashova, I. Nuritdinov, S.Kh. Umarov. Study of the influence of electronic radiation on the surface, structure and Raman spectrum of a TlInS2 single crystal. Phys. B 613, 412879 (2021).
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
