Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe

Автор(и)

  • З.Д. Ковалюк Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
  • М.М. Пирля Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
  • В.Б. Боледзюк Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
  • В.В. Шевчик Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe56.4.366

Ключові слова:

-

Анотація

Одержано експериментальні результати по дослідженню баричної чутливості шаруватих напівпровідникових кристалів InSe, GaSe та їх металевих інтеркалятів. Результати вимірювань дозволили визначити коефіцієнт баричної (динамічної) чутливості для даних сполук. Високі значення коефіцієнта баричної чутливості монокристалів InSe, GaSe та їх інтеркалятів (kP 10–8–10–7 Па–1) для швидкозмінних тисків відкрили можливість для їх використання у ролі чутливих елементів індикаторів перевантажень (акселерометрів). З проведених вимірювань та розрахунків для структур шаруватий напівпровідник–кремній встановлено, що в області відносних деформацій ~10–5 Па–1 коефіцієнт тензочутливості kT = 1300–1500, в області відносних деформацій ~10–4 Па–1 значення kT = 300. Визначено, що тензочутливість інтеркалятів шаруватих кристалів залежить від ступеня перекриття орбіт атомів інтеркальованої домішки та її концентрації.

Посилання

B.A. Luk'yanets, K.K. Danilevich-Tovstyuk, and K.D. Tovstyuk, Fiz. Tverd. Tela 23, 2998 (1981).

K.D. Tovstyuk, Semiconductor Materials Science (Naukova Dumka, Kiev, 1984) (in Russian).

L.M. Zaichenko, A.I. Seredyuk, V.D. Fotii, and Yu.R. Shevchuk, Tekhnol. Konstr. Elektr. App., No. 2, 57 (2004).

E.S. Levshina and P.V. Novitskii, Electric Measurements of Physical Quantities (Energoatomizdat, Leningrad, 1989) (in Russian).

Semiconductor Strain Gauges, edited by M. Din (Energiya, Moscow, 1965) (in Russian).

V.B. Boledzyuk, Z.D. Kovalyuk, and M.M. Pyrlya, Neorg. Mater. 45, 1303 (2009).

https://doi.org/10.1134/S0020168509110053

Z.D. Kovalyuk, M.M. Pyrlya, and V.B. Boledzyuk, Nauk. Visn. Chern. Univ. Fiz. Elektr. Issue 6, 31 (1999).

S.S. Ishchenko, M.T. Ivaniichuk, D.V. Korbutyak et al., Fiz. Tekhn. Polupr. 15, 2045 (1981).

L.A. Demchina, Z.D. Kovalyuk, and I.V. Mintyanskii, Prib. Tekhn. Exper. 2, 219 (1980).

Z.D. Kovalyuk, M.M. Pyrlya, A.I. Seredyuk, and K.D. Tovstyuk, Neorg. Mater. 29, 1652 (1985).

I.I. Grigorchak, Z.D. Kovalyuk, and S.P. Yurtsenyuk, Izv. Akad. Nauk USSR. Ser. Neorg. Mater. 17, 412 (1981).

N.A. Abdulaev, Fiz. Tverd. Tela 48, 623 (2006).

G.A. Belen'kii. E.Yu. Salaev, and R.A. Suleimanov, Usp. Fiz. Nauk 155, 89 (1988).

https://doi.org/10.3367/UFNr.0155.198805c.0089

B.A. Lukiyanets, K.D. Tovstyuk, V.V. Boichuk, and K.K. Danilevich-Tovstyuk, Phys. Stat. Sol. (b) 124, 693 (1984).

https://doi.org/10.1002/pssb.2221240228

Опубліковано

2022-02-14

Як цитувати

Ковалюк, З., Пирля, М., Боледзюк, В., & Шевчик, В. . (2022). Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe. Український фізичний журнал, 56(4), 366. https://doi.org/10.15407/ujpe56.4.366

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають