Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)

Автор(и)

  • Т.В. Афанас’єва Київський національний університет імені Тараса Шевченка
  • О.А. Гринчук Київський національний університет імені Тараса Шевченка
  • І.П. Коваль Київський національний університет імені Тараса Шевченка
  • М.Г. Находкін Київський національний університет імені Тараса Шевченка

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe56.4.352

Ключові слова:

-

Анотація

За допомогою розрахунків з перших принципів перевірено можливість переходу одного атома кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару в зв'язок між атомами другого та третього шарів поверхні GexSi1–x/Si(001) у випадку адсорбції одного, двох та трьох атомів кисню. Перехід кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару у зв'язок між атомами другого та третього приповерхневого шарів енергетично невигідний, коли на поверхні GexSi1–x/Si(001) присутні чисті Si та змішані Si–Ge аддимери. У випадку, коли на поверхні GexSi1–x/Si(001) присутні чисті аддимери Ge, то можлива лише дифузія поодинокого атома кисню. Бар'єр для такої дифузії становить 2,09 еВ. Присутність чистих аддимерів Ge на поверхні GexSi1–x/Si(001) полегшує дифузію атома кисню в глибину більше, ніж присутність чистих Si або змішаних Si–Ge аддимерів.

Посилання

T. Fukuda and T. Ogino. Surf. Sci. 380, 469 (1997).

https://doi.org/10.1016/S0039-6028(97)00017-4

B.P. Uberuaga, M. Leskovar, A.P. Smith et al., Phys. Rev. B 84, 2441 (2000).

https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.84.2441

H.J. Zandvliet, O. Gurlu, T.V. Afanasieva et al., J. Appl. Phys. 23, 1452 (2003).

T. Fukuda, J. Appl. Phys. 38, 1450 (1999).

https://doi.org/10.1143/JJAP.38.L1450

I.P. Koval', Yu.A. Len', and M.G. Nakhodkin, Visn. Kyiv. Univ. 1, 275 (2006).

T.V. Afanasieva, O.A. Greenchuck, I.P. Koval' et al., Visn. Kyiv. Univ. 2, 207 (2007).

K. Kim and K.D. Jordan, J. Phys. Chem. 98, 10089 (1994).

https://doi.org/10.1021/j100091a024

M.W. Schmidt, K.K. Baldridge, J.A. Boatz et al., J. Comput. Chem. 14, 134 (1993).

https://doi.org/10.1002/jcc.540141112

M. Ramamoorthy and T. Sokrates, J. Phys. Rev. B 76, 267 (1996).

https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.76.267

F. Jensen, Introduction to Computational Chemistry (Wiley, New York, 1999).

J.T. Arantes, R.H. Miwa et al., Phys. Rev. B 70, 235321 (2004).

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.70.235321

T. Fukuda and T. Ogino, Surf. Sci. 357, 748 (1996).

https://doi.org/10.1016/0039-6028(96)00257-9

Опубліковано

2022-02-14

Як цитувати

Афанас’єва, Т., Гринчук, О., Коваль, І., & Находкін, М. (2022). Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001). Український фізичний журнал, 56(4), 352. https://doi.org/10.15407/ujpe56.4.352

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають