Фотопровідність у двосторонньому макропористому кремнії
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe67.12.841Ключові слова:
двостороннiй макропористий кремнiй, фотопровiднiсть, пористий, нерiвноважнi носiї зарядуАнотація
Розраховано питому фотопровiднiсть та концентрацiю надлишкових неосновних носiїв заряду в двосторонньому макропористому кремнiї в залежностi вiд глибини пор та часу життя неосновних носiїв заряду в об’ємi зразка. Для розрахунку фотопровiдностi та концентрацiї надлишкових неосновних носiїв заряду використовувалась дифузiйна модель. Математичний опис дифузiйної моделi мiстить загальний розв’язок рiвняння дифузiї та граничну умову, записану на межах монокристалiчної пiдкладинки та зразка двостороннього макропористого кремнiю. Враховувалось, що свiтло потрапляло на монокристалiчну пiдкладинку через дно пор. Питома фотопровiднiсть у двосторонньому макропористому кремнiї в залежностi вiд глибини пор та часу життя неосновних носiїв заряду зменшується, якщо глибина пор зростає, а час життя зменшується. Концентрацiя надлишкових неосновних носiїв заряду в залежностi вiд координати та часу життя неосновних носiїв заряду в двосторонньому макропористому кремнiї має один максимум при однорiднiй генерацiї надлишкових носiїв заряду або два максимуми – при їх неоднорiднiй генерацiї.
Посилання
M. Treideris, V. Bukauskas, A. Reza, I. Simkiene, A. Setkus, A. Maneikis, V. Strazdiene. Macroporous silicon structures for light harvesting. Mater. Sci. E 21, 3 (2015).
https://doi.org/10.5755/j01.ms.21.1.5725
G. Loget, A. Vacher, B. Fabre, F. Gouttefangeas, L. Joanny, V. Dorcet. Enhancing light trapping of macroporous silicon by alkaline etching: application for the fabrication of black Si nanospike arrays. Materials Chemistry Frontiers 9, 1881 (2017).
https://doi.org/10.1039/C7QM00191F
M. Ernst, H. Schulte-Huxel, R. Niepelt, S. Kajari-Schroder, R. Brendel. Thin crystalline macroporous silicon solar cells with ion implanted emitter. Energy Procedia 38 910 (2013).
https://doi.org/10.1016/j.egypro.2013.07.364
N. Mendoza-Aguero, V. Agarwal, H.I. Villafan-Vidales, J. Campos-Alvarez, P.J. Sebastian. A heterojunction based on macroporous silicon and zinc oxide for solar cell application. J. New Mater. for Electrochem. Systems. 18 (4), 225 (2015).
https://doi.org/10.14447/jnmes.v18i4.352
A.V. Sachenko, V.P. Kostylyov, R.M. Korkishko, V.M. Vlasyuk, I.O. Sokolovskyi, B.F. Dvernikov, V.V. Chernenko, M. Evstigneev. Key parameters of textured silicon solar cells of 26.6 photoconversion efficiency. Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron. 24 (2), 175 (2021).
L.A. Karachevtseva, V.F. Onyshchenko, A.V. Sachenko. Kinetics of Photoconductivity in Macroporous Silicon Structures. Ukr. J. Phys. 53 (9), 874 (2008).
M. Ernst, R. Brendel. Modeling effective carrier lifetimes of passivated macroporous silicon layers. Solar Energy Materials and Solar Cells 95 (4), 1197 (2020).
https://doi.org/10.1016/j.solmat.2011.01.017
V.F. Onyshchenko, L.A. Karachevtseva. Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon. Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron. 23 (1), 29 (2020).
https://doi.org/10.15407/spqeo23.01.029
V.F. Onyshchenko. Distribution of excess charge carriers in bilateral macroporous silicon with different thicknesses of porous layers. J. Nano-Electron. Phys. 13 (6), 06010 (2021).
https://doi.org/10.21272/jnep.13(6).06010
L.S. Monastyrskii, B.S. Sokolovskii, M.R. Pavlyk. Analytical and numerical calculations of photoconductivity in porous silicon. Ukr. J. Phys. 56 (9), 902 (2011).
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
