Особливості протікання струму в гетероструктурах оксид титану–кремній

Ю.С. Мілованов; І.В. Гаврильченко; В.Я. Гайворонський; Г.В. Кузнецов; В.А. Скришевський

doi:10.15407/ujpe57.5.545

Особливості протікання струму в гетероструктурах оксид титану–кремній

Автор(и)

Ю.С. Мілованов Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Інститут високих технологій
І.В. Гаврильченко Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Інститут високих технологій
В.Я. Гайворонський Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Інститут високих технологій
Г.В. Кузнецов Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Інститут високих технологій
В.А. Скришевський Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Інститут високих технологій

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe57.5.545

Ключові слова:

Анотація

Досліджено інжекційні механізми перенос носіїв заряду в гетероструктурах Tі–TіО₂–(n, p)Sі. Розглянуто вплив структури пористого шару TіО₂ і типу кремнієвої підкладки на електричні характеристики структур. Перенос носіїв заряду відбувається за умов існування компенсуючого поляризаційного заряду на поверхні TіО₂ наночастинок. Встановлено кореляції між типом адсорбованих молекул і умовами проходження струму. У структурах Ті–ТіО₂–p-Sі зміна співвідношення інжектованих електронів та дірок може приводити до ефекту негативної провідності.

Посилання

V.A. Skryshevsky, V.A. Vikulov, O.V. Tretyak, V.M. Zinchuk, F. Koch, and Th. Dittrich, Phys. Stat. Sol. A 197, 534 (2003).

https://doi.org/10.1002/pssa.200306559

S.K. Hazra, S. Roy, and S. Basu, Mater. Sci. Eng. B 110, 195 (2004).

https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.03.006

G. Korotcenkov and B.K. Cho, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 35, 1 (2010).

https://doi.org/10.1080/10408430903245369

S. Ben Amor, L. Guedri, G. Baud, M. Jacquet, and M. Ghedira, Mater. Chem. Phys. 77, 903 (2002).

https://doi.org/10.1016/S0254-0584(02)00189-X

R. Komiya, J. Photochem. Photobio. A 164, 123 (2004).

https://doi.org/10.1016/j.jphotochem.2003.11.015

Th. Dittrich, V. Zinchuk, V. Skryshevskyy, I. Urban, and O. Hilt, J. Appl. Phys. 98, 104501 (2005).

https://doi.org/10.1063/1.2135890

A. Ennaoui, B.R. Sankapal, V. Skryshevsky, and M.Ch. Lux-Steiner, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 90, 1533 (2006).

https://doi.org/10.1016/j.solmat.2005.10.019

E.A. Konstantinova, V.Ya. Gayvoronskiy, V.Yu. Timoshenko, and P.K. Kashkarov, Semiconductors 44, 1093 (2010).

https://doi.org/10.1134/S106378261008018X

P. Viswanathamurthi, N. Bhattarai, C.K. Kim, H.Y. Kim, and D.R. Lee, Inorg. Chem. Commun. 7, 679 (2004).

https://doi.org/10.1016/j.inoche.2004.03.013

O. Harizanov and A. Harizanova, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 63, 185 (2002).

https://doi.org/10.1016/S0927-0248(00)00008-8

Yingchun Zhu and Chuanxian Ding, J. Europ. Ceram. Soc. 20, 127 (2000).

https://doi.org/10.1016/S0955-2219(99)00159-4

G. Kron, T. Egerter, J.H. Werner, and U. Rau, J. Phys. Chem. B 107, 3556 (2003).

https://doi.org/10.1021/jp0222144

P.M. Kumar, S. Badrinarayanan, and M. Sastry, Thin Solid Films 358, 122 (2000).

https://doi.org/10.1016/S0040-6090(99)00722-1

A. Zaban, A. Meier, and B.A. Gregg, J. Phys. Chem. B 101, 7985 (1997).

https://doi.org/10.1021/jp971857u

V.A. Skryshevskyy, Th. Dittrich, and J. Rappich, Phys. Stat. Sol. A 201, 157 (2004).

https://doi.org/10.1002/pssa.200306734

E.A. Lebedev and Th. Dittrich, Semiconductors 36, 1268 (2002).

https://doi.org/10.1134/1.1521229

A.L. Fahrenbruch and R.H. Bube, Fundamentals of Solar Cells: Photovoltaic Solar Energy Conversion (Academic Press, New York, 1983).

https://doi.org/10.1016/B978-0-12-247680-8.50013-X

A.Yu. Karlach, G.V. Kuznetsov, S.V. Litvinenko, Yu.S. Milovanov, and V.A. Skryshevsky, Semiconductors 44, 1342 (2010).

https://doi.org/10.1134/S1063782610100179

V.B. Lazarev, V.G. Krasov, and I.S. Shaplygin, Electric Conductivity of Oxide Systems and Film Structures (Nauka, Moscow, 1979) (in Russian).

A.I. Manilov, A.M. Veremenko, I.I. Ivanov, and V.A. Skryshevsky, Physica E 41, 36 (2008).

https://doi.org/10.1016/j.physe.2008.05.024

H. Wittmer, S. Holten, H. Kliem, and H. Breuer, Phys. Stat. Sol. A 181, 461 (2000).

https://doi.org/10.1002/1521-396X(200010)181:2<461::AID-PSSA461>3.0.CO;2-X

V. Kytin and Th. Dittrich, Phys. Stat. Sol. A 185, 461 (2001).

https://doi.org/10.1002/1521-396X(200106)185:2<461::AID-PSSA461>3.0.CO;2-P

Downloads

Опубліковано

2012-05-30

Як цитувати

Мілованов, Ю., Гаврильченко, І., Гайворонський, В., Кузнецов, Г., & Скришевський, В. (2012). Особливості протікання струму в гетероструктурах оксид титану–кремній. Український фізичний журнал, 57(5), 545. https://doi.org/10.15407/ujpe57.5.545

Завантажити посилання

Номер

Том 57 № 5 (2012)

Розділ

Наносистеми

Ліцензія

Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна

Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:

1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.

2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.

3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.

4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.

5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.

6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.