Оптичні параметри свіжоприготованих та відпалених тонких плівок (Ga0,3In0,7)2Se3
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe66.10.885Ключові слова:
тонка плiвка, спектральна елiпсометрiя, спектри пропускання, показник заломлення, енергiя псевдощiлини, енергiя УрбахаАнотація
Напилену методом термiчного випаровування плiвку (Ga0.3In0.7)2Se3 вiдпалювали в iнертнiй атмосферi (аргон) протягом 1 год при температурах 323, 373 i 423 К. Методом спектральної елiпсометрiї дослiджено спектральнi залежностi показника заломлення та коефiцiєнта екстинкцiї свiжоприготованої та вiдпаленої плiвки (Ga0.3In0.7)2Se3. Дослiджено спектри оптичного пропускання та поглинання плiвки (Ga0.3In0.7)2Se3 залежно вiд температури вiдпалу. Показано, що край оптичного поглинання для вiдпаленої плiвки (Ga0.3In0.7)2Se3 змiщується в короткохвильову область i розширюється зi збiльшенням температури вiдпалу. Визначено параметри урбахiвського краю поглинання для свiжоприготованої та вiдпаленої плiвки (Ga0.3In0.7)2Se3. Спектральнi залежностi показника заломлення проаналiзовано в рамках моделi Уемпла–ДiДомiнiко. Виявлено нелiнiйне збiльшення ширини псевдозабороненої зони, урбахiвської енергiї та показника заломлення зi збiльшенням температури вiдпалу.
Посилання
S. Popovi'c, B. Celustka, Z. Ruzѕi'c-Toros, D. Broz. X-ray diffraction study and semiconducting properties of the system Ga2Se3-In2Se3. Phys. Stat. Sol. (a) 41, 255 (1977).
https://doi.org/10.1002/pssa.2210410131
J. Ye, T. Yoshida, Y. Nakamura, O. Nittono. Realization of giant optical rotatory power for red and infrared light
using III2VI3 compound semiconductor (GaxIn1−x)2Se3. Jap. J. Appl. Phys. 35, 4395 (1996).
https://doi.org/10.1143/JJAP.35.4395
M. Kranjсec, B. Celustka, B. Etlinger, D. Desnica. The indirect allowed optical transition in (Ga0.3In0.7)2Se3. Phys. Stat. Sol. (a) 109, 329 (1988).
https://doi.org/10.1002/pssa.2211090136
M. Kranjсec, D.I. Desnica, B. Celustka, Gy.Sh. Kovacs, I.P. Studenyak. Fundamental optical absorption edge and
compositional disorder in y1-(GaxIn1−x)2Se3 single crystals. Phys. Stat. Sol. (a) 144, 223 (1994)
https://doi.org/10.1002/pssa.2211440125
M. Kranjсec, I.P. Studenyak, Yu.M. Azhniuk. Photoluminescence and optical absorption edge in y1-(GaxIn1−x)2Se3 mixed crystals. Phys. Stat. Sol. (b) 238, 439 (2005).
https://doi.org/10.1002/pssb.200540073
J. Ye, T. Yoshida, Y. Nakamura, O. Nittono. Optical activity in the vacancy ordered III2VI3 compound semiconductor (Ga0.3In0.7)2Se3. Appl. Phys. Lett. 67, 3066 (1995).
https://doi.org/10.1063/1.114866
M. Kranjсec, I.D. Desnica, B. Celustka, A.N. Borec, Gy.Sh. Kovacs, Z.P. Hadmashy, L.M. Suslikov, I.P. Studenyak. On some crystal-optic properties of y1-(GaxIn1−x)2Se3 single crystals. Phys. Stat. Sol. (a) 153, 539 (1996).
https://doi.org/10.1002/pssa.2211530229
M. Kranjсec, I.P. Studenyak, L.M. Suslikov, Gy.Sh. Kovacs, E. Cerovec. Birefringence in y1-(GaxIn1−x)2Se3 single crystals. Opt. Mat. 25, 307 (2004).
https://doi.org/10.1016/j.optmat.2003.08.005
M. Kranjсec, I.D. Desnica, I.P. Studenyak, B. Celustka, A.N. Borec, I.M. Yurkin, Gy.Sh. Kovacs. Acousto-optic modulator with a (Ga0.4In0.6)2Se3 monocrystal as the active element. Applied Optics 36, 490 (1997).
https://doi.org/10.1364/AO.36.000490
I.P. Studenyak, M. Kranjcec, V.Yu. Izai, V.I. Studenyak. M.M. Pop, L.M. Suslikov. Ellipsometric and spectrometric
studies of (Ga0.2In0.8)2Se3 thin film. Ukr. Fiz. Zhurn. 65, 231 (2020).
https://doi.org/10.15407/ujpe65.3.231
I. Studenyak, M. Kranjсec, M. Pop, A. Solomon, L. Suslikov. Influence of X-ray irradiation on optical parameters of (Ga0.2In0.8)2Se3 films. Proc. SPIE 11456, Optical Fibers and Their Applications 2020 1145605 (2020).
https://doi.org/10.1109/NAP51477.2020.9309611
I.P. Studenyak, M.M. Pop, M. Kranjˇсec, A.M. Solomon. Optical studies of X-ray irradiated (Ga0.4In0.6)2Se3 films. Ukr. J. Phys. Opt. 21, 184 (2020).
https://doi.org/10.3116/16091833/21/4/184/2020
R. Swanepoel. Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon. J. Phys. E: Sci. Instrum., 16 1214 (1983). https://doi.org/10.1088/0022-3735/16/12/023
O.S. Heavens. Optical Properties of Thin Solid Films. (Dover, 1991).
D. Poelman, P.F. Smet. Methods for the determination of the optical constants of thin films from single transmission measurements: a critical review. J. Phys. D: Appl. Phys. 36, 1850 (2003).
https://doi.org/10.1088/0022-3727/36/15/316
S.H. Wemple, M.Di Domenico. behaviour of the dielectric constant in covalent and ionic materials. Phys. Rev. B 3, 1338 (1971). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.3.1338
J. Tauc and A. Menth. States in the gap. J. Non-Cryst. Solids 8-10, 569 (1972). https://doi.org/10.1016/0022-3093(72)90194-9
G.D. Cody, T. Tiedje, B. Abeles, B. Brooks, Y. Goldstein. Disorder and the optical-absorption edge of hydrogenated amorphous silicon. Phys. Rev. Lett. 47, 1480 (1981). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.47.1480
P. Studenyak, M. Kranjˇсec, M.V. Kurik. Urbach rule and disordering processes in Cu6P(S1−xSex)5Br1−y Iy superionic conductors. J. Phys. Chem. Solids 67, 807 (2006). https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2005.10.184
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
