Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe66.3.260Ключові слова:
CdTe, CdZnTe, пропускання, вiдбивання, поглинання, лазерне опромiненняАнотація
В данiй роботi проведено оптичнi дослiдження спектрiв пропускання та вiдбивання монокристалiв р-CdTe(111), а також твердого розчину Cd0,9Zn0,1Te в дiапазонi (0,8–1,7) · 10−6 м до та пiсля лазерного опромiнення на довжинi електромагнiтної хвилi Λ = 266 нм в iнтервалi енергiй 17,2–47,01 мДж/см2. Встановлено, що основним механiзмом впливу iмпульсного лазерного опромiнення на оптичнi властивостi тонких приповерхневих шарiв дослiджених кристалiв є структурне гетерування, тобто поглинання, зумовлене наявнiстю дiлянок напiвпровiдникiв, що мають дефектну структуру i володiють здатнiстю активно поглинати точковi дефекти i зв’язувати домiшки.
Посилання
D.V. Korbutyak, S.V. Melnychuk, Ye.V. Korbut, M.M. Borysyuk. Cadmium Telluride: Impurity-Defect States and Detector Properties (Ivan Fedorov, 2000) (in Ukrainian).
V.I. Khivrych, Effects of Compensation and Ionizing Radiation in CdTe Single Crystals (Institute for Nuclear Research of the NAS of Ukraine, 2010) (in Ukrainian).
P.J. Sellin. Recent advances in compound semiconductor radiation detectors. Nucl. Instrum. Methods A 513, 332 (2003).
https://doi.org/10.1016/j.nima.2003.08.058
T.E. Schlesinger, J.E. Toney, H. Yoon, E.Y. Lee, B.A. Brunett, L. Franks, R.B. James. Cadmium zinc telluride and its use as a nuclear radiation detector material. Mater. Sci. Eng. R 32, 103 (2001).
https://doi.org/10.1016/S0927-796X(01)00027-4
A. Owens, A. Peacock. Compound semiconductor radiation detectors. Nucl. Instrum. Methods A 531, 18 (2004).
https://doi.org/10.1016/j.nima.2004.05.071
V.A. Gnatyuk, S.N. Levytskyi, O.I. Vlasenko, T. Aoki. Formation of doped nano-layers in CdTe semiconductor crystals by laser irradiation with nanosecond pulses. Thai J. Nanosci. Nanotechnol. 1, No. 2, 7 (2016).
P.O. Gentsar, O.I. Vlasenko. Electronic Phenomena in the Optical Spectra of Near-Surface Layers and Bulk of the Materials of the IV, AIIIBV, AIIBVI, and AIIIBVI Groups (ART OK, 2017) (in Ukrainian).
V.A. Zuev, V.G. Litovchenko, V.G. Popov. Laser treatment of thin surface layers of semiconductors. Kvant. Elektron. 23, 33 (1982) (in Russian).
V.P. Veiko, M.N. Libenson, G.G. Chervyakov, E.B. Yakovlev. Interaction of Laser Radiation with Matter (Fizmatlit, 2008) (in Russian).
W.W. Duley. Laser Processing and Analysis of Materials (Plenum Press, 1983).
https://doi.org/10.1007/978-1-4757-0193-7
A.M. Evstigneev, P.A. Genzar, S.A. Grusha, R.V. Konakova, A.N. Krasiko, O.V. Snitko, Yu.A. Thorik. Collisional broadening of optical spectra and its relation to mobility. Fiz. Tekhn. Poluprov. 21, 1138 (1987) (in Russian).
F. Bechstedt, R. Enderlein. Semiconductor Surfaces and Interfaces (Akademie, 1988).
Problems of Semiconductor Surface Science. Edited by O.V. Snitko. (Naukova Dumka, 1981) (in Russian).
V.E. Primachenko, O.V. Snitko. Physics of Metal-Doped Semiconductor Surface (Naukova Dumka, 1988) (in Russian).
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
