Вплив доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графену

Автор(и)

  • A. I. Kurchak V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

Ключові слова:

-

Анотація

Огляд присвячено останнiм теоретичним дослiдженням впливу доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графенового каналу. Розглянутий аналiтичний опис ефектiв пам’ятi гiстерезисного типу у польовому транзисторi на основi графен-на-сегнетоелектрику, з урахуванням адсорбованих дипольних шарiв на вiльнiй поверхнi графену i локалiзованих станiв на його iнтерфейсах. Аналiзуються аспекти нещодавно розвинутої теорiї провiдностi p–n переходiв у графеновому каналi на сегнетоелектричнiй пiдкладцi, якi створенi 180-градусною сегнетоелектричною доменною структурою, причому розглянутi випадки рiзних режимiв струму, вiд балiстичного до дифузiйного. Обговорюється вплив розмiрних ефектiв у таких системах та можливiсть використання результатiв для вдосконалення характеристик польових транзисторiв з графеновим каналом, комiрок енергонезалежної сегнетоелектричної пам’ятi з довiльним доступом, сенсорiв, а також для мiнiатюризацiї рiзних пристроїв функцiональної наноелектронiки

Downloads

Опубліковано

2019-12-09

Як цитувати

Kurchak, A. I. (2019). Вплив доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графену. Український фізичний журнал, 12(1), 41. вилучено із https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019659

Номер

Розділ

Огляди