Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe65.3.247Ключові слова:
chalcogenide glass, thin films, As–Se, electron-induced surface reliefАнотація
Дослiджено взаємодiю електронного пучка з халькогенiдними плiвками As4Se96. Встановлена кiнетика формування електронно-iндукованого рельєфу поверхнi в дозовому дiапазонi 9,3 · 103–9,3 · 107 мкC· см−2. Розраховано параметри взаємодiї плiвки As4Se96 з електронним пучком. Показано, що спостережувана точка iнверсiї форми електронно-iндукованого рельєфу може бути зумовлена кроссовером поверхневого потенцiалу. На поверхнi плiвки As4Se96 був реалiзований процес виготовлення елемента зображення методом одноступеневої електронної лiтографiї.
Посилання
K. Tanaka. Electron beam induced reliefs in chalcogenide glasses. J. Appl. Phys. 70, 261 (1997). https://doi.org/10.1063/1.118356
Galen B. Hoffman, Ronald M. Reano. Electron beam direct write of chalcogenide glass integrated optics. J. Vacuum Sci. Technol. 30, 06F301 (2012). https://doi.org/10.1116/1.4748567
O. Shiman, V. Gerbreders, A. Gulbis. The interaction between electron beam and amorphous chalcogenide films. J. Non-Cryst. Sol. 358, 1876 (2012). https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2012.05.042
V. Bilanych, V. Komanicky, M. Lackova et. al. Fabrication of meso- and nano-scale structures on surfaces of chalcogenide semiconductors by surface hydrodynamic interference patterning. Mater. Res. Express 2, 105201.1 (2015). https://doi.org/10.1088/2053-1591/2/10/105201
V. Kuzma, V. Bilanych, M. Kozejova et. al. Study of dependence of electron beam induced surface relief formation on Ge-As-Se thin films on the film elemental composition. J. Non-Crystal. Sol. 456, 7 (2017). https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2016.10.033
V. Bilanych, V. Komanicky, M. Kozejova et. al. Surface patterning of Ge-As-Se thin films by electric charge accumulation. Thin Solid Films 616, 86 (2016). https://doi.org/10.1016/j.tsf.2016.07.073
M.L. Trunov, P.M. Lytvyn. Selective light-induced mass transport in amorphous AsxSe100−x films driven by the composition tuning: Effect of temperature on maximum acceleration. J. Non-Crystal. Sol. 493, 86 (2018). https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2018.04.038
V.I. Mikla. Distinct topological regimes in binary AsxSe100−x glasses. J. Phys.: Condens. Matter 9, 9209 (1997). https://doi.org/10.1088/0953-8984/9/43/007
T.H.P. Chang. Proximity effect in electron-beam lithography. J. Vac. Sci. Technol. 12, 1271 (1975). https://doi.org/10.1116/1.568515
V. Bilanych, V. Komanicky, A. Feher et. al. Electron-beam induced surface relief shape inversion in amorphous Ge4As4Se92 thin films. Thin Solid Films 571, 175 (2014). https://doi.org/10.1016/j.tsf.2014.10.067
K. Kanaya, S. Okayama. Penetration and energy-loss theory of electrons in solid targets. J. Phys. D 5, 43 (1972). https://doi.org/10.1088/0022-3727/5/1/308
R. Shimizu, T. Ikuta, T.E. Everhart et. al. Experimental and theoretical study of energy dissipation profiles of keV electrons in polymethylmethacrylate. J. Appl. Phys. 46, 41581 (1975). https://doi.org/10.1063/1.321759
L. Tichy, H. Ticha, P. Nagels et. al. Optical properties of amorphous As-Se and Ge-As-Se thin films. Mater. Lett. 39, 122 (1999). https://doi.org/10.1016/S0167-577X(98)00227-4
E.N. Evstaf'eva, E.I. Rau, V.N. Mileev et. al. Analysis of mechanisms of dielectric target charging under the effect of electron irradiation. Inorg. Mater.: Appl. Res. 2, 106 (2011). https://doi.org/10.1134/S2075113311020079
A.V. Gostev, E.N. Evstaf'eva, E.I. Rau et. al. Characteristics of dielectric film charging, depending on their thickness upon electron irradiation. Bulletin Russ. Acad. Sci. Phys. 78, 833 (2014). https://doi.org/10.3103/S106287381409007X
M. Bai, R.F.W. Pease, C. Tanasa et. al. Charging and discharging of electron beam resist films. J. Vac. Sci. Technol. 17, 6, 2893 (1999). https://doi.org/10.1116/1.591091
H.J. Hunger, L. Kuchler. Measurements of the electron backscattering coefficient for quantitative EPMA in the energy range of 4 to 40 keV. Phys. Stat. Sol. 56, K45 (1979). https://doi.org/10.1002/pssa.2210560157
K. Ohya, T. Ishitani. Target material dependence of secondary electron images induced by focused ion beams. Surf. Coat. Technol. 158, 8 (2002). https://doi.org/10.1016/S0257-8972(02)00196-2
S. Ono, K. Kanaya. The energy dependence of secondary emission based on the range-energy retardation power formula. J. Phys. D: Appl. Phys. 12, 619 (1979). https://doi.org/10.1088/0022-3727/12/4/019
Ch.E. Moore. Ionization Potentials and Ionization Limits Derived from the Analysis of Optical Spectra (NSRDS- NBS 34, 1970). https://doi.org/10.6028/NBS.NSRDS.34
E.I. Rau, S.A. Ditsman, S.V. Zaitsev et. al. Analysis of formulas for calculating the main characteristics of backscattered electrons and how they compare to experimental results. Bulletin of the Russ. Acad. Sci. Phys. 77, 951 (2013). https://doi.org/10.3103/S1062873813080364
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
