Електрон-фононне розсіяння квантово-розмірної плівки з гіперболічним потенціалом Пешля–Теллера
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe64.4.336Ключові слова:
quantum-sized film, electron-phonon interaction, hyperbolic potential, transition probabilityАнотація
Розвинена кiлькiсна теорiя електрон-фононної взаємодiї для двовимiрного електронного газу в квантовiй плiвцi з гiперболiчним утримуючим потенцiалом Пешля–Теллера. Отримано аналiтичнi вирази ймовiрностi переходу при розсiяннi електронiв на деформацiйно-акустичних, пьєзоакустичних i полярних оптичних фононах. Отриманi результати для рiзних механiзмiв розсiювання порiвнювалися з об’ємними кристалами.
Посилання
P. Harrison. Quantum Wells, Wires and Dots: Theoretical and Computational Physics (Wiley, 2005). https://doi.org/10.1002/0470010827
B.K. Ridley. Hot electrons in low-dimensional structures. Rep. Prog. Phys. 54, 169 (1991). https://doi.org/10.1088/0034-4885/54/2/001
M.D. Glinchuk, V.V. Khist, A.N. Morozovska. Renovation of interest in the magnetoelectric effect in nanoferroics. Ukr. J. Phys. 63, 11 (2018). https://doi.org/10.15407/ujpe63.11.1006
Yu. Pozhela, K. Pozhela, V. Yutsene. Electron scattering by confined interface polar optical phonons in a double heterostructure. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 41, 9 (2007) (in Russian). https://doi.org/10.1134/S1063782607090126
Yu. Pozhela, K. Pozhela, V. Yutsene, A. Sujedelis, A.S. Shkolnik, S.S. Mikhrin, V.S. Mikhrin. Interaction of electrons with polar optical phonons localized in quantum wells. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 43, 12 (2009) (in Russian). https://doi.org/10.1134/S1063782609120033
M.M. Afanasova, V.A. Stepanov, M.A. Korgavchikov. Investigation of the electron-phonon interaction in structures InAs/AlSb in quantization magnetic field regime. Nanosyst. Phys. Chem. Math. 3, 6 (2012).
A.C. Gandhi, W-S. Yeoh, M.-An Wu et al. New insights into the role of weak electron-phonon coupling in nanostructured ZnO thin films. Nanomaterials 8, 632 (2018). https://doi.org/10.3390/nano8080632
U. Akgul. Structural and dielectric properties of TiO2 thin films grown at different sputtering powers. Eur. Phys. J. Plus 134, 3 (2019). https://doi.org/10.1140/epjp/i2019-12407-7
P.I. Arseev, V.N. Mantsevich, N.S. Maslova, V.I. Panov. Features of tunneling processes in semiconductor nanostructures. Usp. Fiz. Nauk 187, 11 (2017) (in Russian). https://doi.org/10.3367/UFNr.2017.01.038055
Kh.A. Gasanov, J.I. Guseinov, I.I. Abbasov, F.I. Mamedov, D.J. Askerov. Dielectric function of a quantum-confined thin film with a modified P?oschl-Teller potential, Ukr. J. Phys. 63, 12 (2018). https://doi.org/10.15407/ujpe63.12.1109
P.P. Kostrobiy, I.A. Rizha. A model for thin electron film. Visn. Nat. Univ. Lviv. Politekh. Fiz. Mat. Sci. No. 718, 89 (2011) (in Ukrainian).
L.I. Schiff. Quantum Mechanics (McGraw Hill, 1968).
B.M. Askerov. Electronic Transport Phenomena in Semiconductors (World Scientific, 1985).
Y.Yu. Peter, M. Cardona. Fundamentals of Semiconductors. Physics and Materials Properties (Springer, 2010). https://doi.org/10.1007/978-3-642-00710-1
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
