Порушена симетрiя дзеркального вiдображення та дiамагнiтний коефiцiєнт носiїв, захоплених латеральними напiвпровiдниковими молекулами з квантовими точками

Анотація

У цiй роботi теоретично дослiджено вплив асиметрiї дзеркального вiдображення на локалiзацiю електрона i дiрки в самоорганiзованих латеральних молекулах з InGaAs/GaAs квантовими точками. Використовується запропонований ранiше метод вiдображення для моделювання хвильової функцiї основного стану електрона (дiрки) та їх енергiї в молекулах. Подiбний пiдхiд є зручним для з’ясування важливих питань, пов’язаних з контролем та стабiльнiстю хвильових функцiй i дiамагнiтного коефiцiєнта носiїв, обмежених в латеральних напiвпровiдникових молекулах з квантовими точками з порушеною симетрiєю вiдбиття. Нашi результати моделювання показують, що в симетричнiй (збалансованiй) молекулi хвильова функцiя основного стану носiя розподiлена порiвну мiж двома потенцiальними ямами вiдповiдно до мiсць локалiзацiї квантових точок, що утворюють молекулу. Тим не менш, навiть дуже невеликий дисбаланс (асиметрiя) дзеркального вiдображення в геометрiї молекул руйнує симетричний розподiл хвильової функцiї. Наслiдком цього є локалiзацiя хвильової функцiї у потенцiальнiй ямi тiльки однiєї з точок, що приводить до швидкого зменшення дiамагнiтного коефiцiєнта. Ми виявили, що хвильова функцiя дiрок є бiльш чутливою до дисбалансу в дзеркальному вiдображеннi, нiж хвильова функцiя електрона, i ефект локалiзацiї зростає, коли вiдстань мiж квантовими точками в молекулi збiльшується.