Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани

Автор(и)

  • S. V. Sologub Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • I. V. Bordenjuk Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • C. Tegenkamp Institut f¨ur Festk¨orperphysik, Leibniz Universit¨at Hannover
  • H. Pfn¨ur Institut f¨ur Festk¨orperphysik, Leibniz Universit¨at Hannover

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe60.02.0120

Ключові слова:

поверхневе розсiювання носiїв струму, поверхневi електроннi стани, електронно-дiрковi перекидання, епiтаксiйнi наноплiвки вiсмуту, перехiд “напiвметал–напiвпровiдник”, ефект Рашби, магнiтотранспорт

Анотація

Наведений огляд експериментальних дослiджень розсiювання носiїв струму на атомночистих i вкритих моношарами водню (дейтерiю) поверхнях Mo(110) i W(110), яке вiдбувається за участю поверхневих електронних станiв, а також механiзмiв розсiювання носiїв струму спiн-поляризованих поверхневих електронних станiв епiтаксiйних наноплiвок Bi(111) з атомночистою i вкритою надмалими покриттями магнiтних i немагнiтних адатомiв поверхнею.

Опубліковано

2019-01-22

Як цитувати

Sologub, S. V., Bordenjuk, I. V., Tegenkamp, C., & Pfn¨ur, H. (2019). Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани. Український фізичний журнал, 60(2), 120. https://doi.org/10.15407/ujpe60.02.0120

Номер

Розділ

Тверде тіло