Взаємодiя кисню та гадолiнiю з Si(100)-2 × 1. Утворення системи з роботою виходу 1 еВ

Автор(и)

  • M. G. Nakhodkin Taras Shevchenko National University of Kyiv
  • M. I. Fedorchenko Taras Shevchenko National University of Kyiv

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe60.02.0097

Ключові слова:

адсорбцiя, Gd, O, Si(100)-2×1, окислення, робота виходу, дипольний шар

Анотація

Методами електронної спектроскопiї дослiджено змiну електронних властивостей поверхнi Si(100) при створеннi на нiй багатошарової структури окислених атомiв Gd. Показано, що внаслiдок ряду циклiв адсорбцiї атомiв Gd та атомарного кисню при кiмнатнiй температурi на поверхню Si(100)-2×1 та вiдпалу отриманої структури при ≈ 600 ∘C робота виходу поверхнi зменшується вiд 4,8 еВ до значень, менших вiд 1 еВ. Встановлено, що зменшення роботи виходу зi збiльшенням циклiв обробки супроводжується окисленням атомiв Gd та Si i поступовим зменшенням концентрацiї Si в приповерхневiй областi. Отриманi результати пояснюються утворенням на поверхнi дипольного шару O–Gd.

Опубліковано

2019-01-22

Як цитувати

Nakhodkin, M. G., & Fedorchenko, M. I. (2019). Взаємодiя кисню та гадолiнiю з Si(100)-2 × 1. Утворення системи з роботою виходу 1 еВ. Український фізичний журнал, 60(2), 97. https://doi.org/10.15407/ujpe60.02.0097

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають