Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si

Автор(и)

  • T. A. Pagava Georgian Technical University, Department of Engineering Physics
  • L. S. Chkhartishvili Georgian Technical University, Department of Engineering Physics
  • N. I. Maisuradze Georgian Technical University, Department of Engineering Physics
  • M. G. Beridze Georgian Technical University, Department of Engineering Physics
  • D. Z. Khocholava Georgian Technical University, Department of Engineering Physics

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe60.06.0521

Ключові слова:

кремний n-типа, облучение протонами, метод фото-Холл-эффекта

Анотація

Исследуемые образцы монокристаллов n-Si с концентрацией электронов N = 6 × 1013−3 облучались протонами с энергией 25 МэВ при 300 К. Для исследования применяли метод фото-Холл-эффекта. В облученных образцах наблюдается аномально высокое значение холловской подвижности электронов, что объясняется образованием в объеме кристалла высокопроводящих включений с омическим переходом на границе с матрицей кристалла. При некоторых температурах изохронного отжига наблюдается аномально высокое рассеяние электронов, которое уменьшается монохроматической ИК подсветкой с заданной энергией фотонов. Подсветка деионизирует электростатически взаимодействующие вторичные глубокие дефекты, которые образуются в процессе изохронного отжига вокруг высокопроводящих включений и экранируют их. Показано, что такими экранирующими дефектами являются в основном A- и E-центры.

Опубліковано

2019-01-17

Як цитувати

Pagava, T. A., Chkhartishvili, L. S., Maisuradze, N. I., Beridze, M. G., & Khocholava, D. Z. (2019). Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si. Український фізичний журнал, 60(6), 521. https://doi.org/10.15407/ujpe60.06.0521

Номер

Розділ

Тверде тіло