Пропозицiя структури графен/Ge(111) на основi дослiдження методом скануючої тунельної мiкроскопiї у надвисокому вакуумi

Анотація

У роботi наведено результати експериментальних спостережень методом скануючої тунельної мiкроскопiї нової поверхневої надструктури 5,5√3 × 5,5√3 − R30 ∘ на пiдкладцi Ge(111). Їй притаманнi яскраво вираженi ефекти локальної густини електронних станiв, що спричиняють сильну залежнiсть СТМ зображень вiд тунельної напруги, а також їхнi динамiчнi змiни при 300 К. Запропоновано iнтерпретацiю даної надструктури як графену, що формується у малих субмоношарових кiлькостях шляхом пiролiзу вуглеводневих складових залишкової атмосфери вакуумної камери пiд час вiдпалу зразка Ge(111) при 900 K. Побудовано атомарну модель гетероепiтаксiйного iнтерфейсу графен/Ge(111)-5,5√3 × 5,5√3 −R30 ∘, що вiдзначається реконструйованою пiдкладкою Ge(111) без дальнього порядку пiд шаром графену, який є перiодично вигнутим по висотi внаслiдок просторових варiацiй мiжатомної геометрiї надзвичайно сильно неузгоджених ґраток Ge(111) та графен(0001).