Структура, оптичнi i фотовольтаїчнi властивостi тонких плiвок тетрацену

Автор(и)

  • M. P. Gorishnyi Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • A. B. Verbitsky Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe61.01.0050

Ключові слова:

тонкi плiвки тетрацену, гетероструктури AlTcAu, спектр поглинання, фотовольтаїчний вiдгук

Анотація

Дослiджено структуру, спектри поглинання i фотовольтаїчний вiдгук тонких плiвок тетрацену (Tc) товщинами 120 i 200 нм, напорошених у вакуумi 6,5 мПа на рiзнi пiдкладки при кiмнатнiй температурi. Фотовольтаїчний вiдгук вимiряно конденсаторним методом. Встановлено, що на скляних i кварцових пiдкладках утворюються острiвцевi, а на мiдних – суцiльнi полiкристалiчнi плiвки, що зумовлено рiзними величинами енергiї взаємодiї молекул Тс мiж собою та iз молекулами пiдкладок, шарiв IТО та атомами карбону на поверхнi цих пiдкладок. В квазiаморфних плiвках збудженi свiтлом молекули Тс при 4,2 К деформуються сильнiше порiвняно iз такими у полiкристалiчних плiвках i вiльними молекулами при 300 К.
У спектральному дiапазонi 1,637–3,258 еВ знак фронтальної конденсаторної фото-ерс на освiтленiй вiльнiй поверхнi плiвок Tc вiд’ємний, що свiдчить про їх дiркову фотопровiднiсть. Тильна фото-ерс плiвок Тс товщиною 120 нм (освiтлення через IТО-електрод, який безпосередньо контактує iз плiвкою Тс) змiнює свiй знак у спектральних областях 2,193–2,494 i 2,927–3,153 еВ при зменшеннi концентрацiї кисню у вимiрювальнiй комiрцi, що свiдчить про змiну величини вигинiв енергетичних зон Тс бiля тильної i вiльної поверхонь цих плiвок.

Опубліковано

2019-01-08

Як цитувати

Gorishnyi, M. P., & Verbitsky, A. B. (2019). Структура, оптичнi i фотовольтаїчнi властивостi тонких плiвок тетрацену. Український фізичний журнал, 61(1), 50. https://doi.org/10.15407/ujpe61.01.0050

Номер

Розділ

Тверде тіло