Оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктури 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si

Автор(и)

  • V. A. Vinichenko Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics
  • V. V. Buchenko Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics
  • N. S. Goloborodko Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics
  • V. V. Lendel Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics
  • A. E. Lushkin Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics
  • V. N. Telega Taras Shevchenko National University of Kyiv, Faculty of Physics

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe61.03.0240

Ключові слова:

вольт-ампернi характеристики, спектр поглинання, тонкi плiвки, прозорi оксиди

Анотація

У роботi розглянуто оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктур 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si з товщиною плiвок 6 та 12 нм, що наносились методом магнетронного розпилення на структуровану поверхню кремнiю. Показано, що для плiвки товщиною 6 нм характерна наявнiсть декiлькох пiкiв оптичного поглинання, тодi як у структурi з товщиною 12 нм в тому ж спектральному дiапазонi цi максимуми вiдсутнi. Визначено вплив газового середовища та оптичного випромiнювання на електрофiзичнi властивостi структур 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si та показано, що вiдгук дослiджуваних структур на газове середовище пов’язаний з дiелектричною проникнiстю адсорбату. Результати даного дослiдження можна застосовувати при розробцi резистивних газових сенсорiв на основi плiвок 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si.

Опубліковано

2019-01-06

Як цитувати

Vinichenko, V. A., Buchenko, V. V., Goloborodko, N. S., Lendel, V. V., Lushkin, A. E., & Telega, V. N. (2019). Оптичнi та електрофiзичнi властивостi гетероструктури 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si. Український фізичний журнал, 61(3), 240. https://doi.org/10.15407/ujpe61.03.0240

Номер

Розділ

Тверде тіло