Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв

Автор(и)

  • A. V. Sachenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. P. Kostylyov V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. M. Vlasiuk V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • R. M. Korkishko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • I. O. Sokolovs’kyi V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. V. Chernenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe61.10.0917

Ключові слова:

рекомбiнацiйний струм, область просторового заряду, кремнiєвi сонячнi елементи, глибокий рекомбiнацiйний рiвень

Анотація

Дослiджено темновi ВАХ кремнiєвих сонячних елементiв з рiзними часами життя Шоклi–Рiда–Холла, якi визначались з спектральних залежностей внутрiшнього квантового виходу струму короткого замикання. Встановлено, що рекомбiнацiйнi струми в областi просторового заряду (ОПЗ) формуються на основi часiв життя, менших, принаймнi на порядок, за об’ємнi часи життя. Це пояснено великою концентрацiєю дефектiв, якi приводять до появи глибоких рiвнiв, в ОПЗ дослiджуваних структур кремнiю. Оцiнено параметри глибоких рiвнiв, вiдповiдальних за рекомбiнацiю в ОПЗ.

Опубліковано

2019-01-04

Як цитувати

Sachenko, A. V., Kostylyov, V. P., Vlasiuk, V. M., Korkishko, R. M., Sokolovs’kyi, I. O., & Chernenko, V. V. (2019). Особливостi формування рекомбiнацiйного струму в областi просторового заряду кремнiєвих сонячних елементiв. Український фізичний журнал, 61(10), 917. https://doi.org/10.15407/ujpe61.10.0917

Номер

Розділ

Тверде тіло