Прояв точкових дефектiв в електроннiй структурi кристалiв Hg3Te2Cl2

Автор(и)

  • O. V. Bokotey Faculty of Physics, Uzhhorod National University
  • V. V. Vakulchak Faculty of Physics, Uzhhorod National University
  • A. A. Bokotey Faculty of Physics, Uzhhorod National University
  • I. I. Nebola Faculty of Physics, Uzhhorod National University

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe61.10.0901

Ключові слова:

band structure, point defects, gap, absorption edge, optical transitions

Анотація

Представлено результати розрахункiв в рамках теорiї функцiонала густини для дослiдження впливу точкових дефектiв на електронну структуру кристалiв Hg3Te2Cl2 з використанням моделi суперкомiрки [2×2×1]. Вперше проведено ab initio розрахунки для бездефектних та дефектних кристалiв Hg3Te2Cl2 в наближеннi локальної густини, використовуючи квантово-хiмiчний програмний пакет SIESTA. Дослiджуваний кристал є непрямозонним напiвпровiдником. Згiдно з аналiзом отриманих даних, величини непрямого та прямого переходiв становлять 2,628 еВ та 2,714 еВ вiдповiдно. Вплив дефектiв вакансiй на провiднi та оптичнi властивостi кристалiв Hg3Te2Cl2 обговорюється в деталях. Дефектнi стани вакансiй телуру та хлору створюють додатковi енергетичнi рiвнi нижче дна зони провiдностi. Результати дослiдження показують, що тiльки вакансiї телуру створюють додатковi енергетичнi рiвнi в околi вершини валентної зони. Встановлено, що присутнiсть точкових дефектiв в кристалах Hg3Te2Cl2 змiнює напрямок оптичних переходiв i тому дефектний кристал є прямозонним напiвпровiдником. Одержано задовiльне узгодження з експериментальними даними.

Downloads

Опубліковано

2019-01-04

Як цитувати

Bokotey, O. V., Vakulchak, V. V., Bokotey, A. A., & Nebola, I. I. (2019). Прояв точкових дефектiв в електроннiй структурi кристалiв Hg3Te2Cl2. Український фізичний журнал, 61(10), 901. https://doi.org/10.15407/ujpe61.10.0901

Номер

Розділ

Тверде тіло