Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду

Автор(и)

  • V. P. Veleschuk V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
  • O. I. Vlasenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
  • Z. K. Vlasenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
  • V. A. Gnatyuk V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
  • S. N. Levytskyi V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe62.02.0159

Ключові слова:

CdTe, iмпульсне лазерне опромiнення

Анотація

Розраховано порiг плавлення CdTe в залежностi вiд довжини хвилi випромiнювання Itℎ(л) та тривалостi лазерного iмпульсу Itℎ(тp) з урахуванням параметрiв ННЗ. При наносекундному лазерному опромiненнi CdTe в областi фундаментального поглинання враховано три компоненти енергiї, що видiляється при термалiзацiї збуджених носiїв – вiдразу пiсля збудження (1), при безвипромiнювальнiй об’ємнiй (2) та безвипромiнювальнiй поверхневiй (3) рекомбiнацiї, якi в сукупностi визначають глибину проникнення тепла у кристал i вiдповiдно порiг плавлення. Показано, що порiг плавлення змiнюється вiд 2,6 до 4,75 МВт/см2 при зростаннi л вiд 300 нм до 800 нм при тp = 20 нс. Виявлено, що змiна параметрiв ННЗ – швидкостi поверхневої рекомбiнацiї, часу життя, глибини дифузiї може змiнити порiг плавлення CdTe принаймнi на 30 вiдсоткiв.

Опубліковано

2018-12-23

Як цитувати

Veleschuk, V. P., Vlasenko, O. I., Vlasenko, Z. K., Gnatyuk, V. A., & Levytskyi, S. N. (2018). Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду. Український фізичний журнал, 62(2), 159. https://doi.org/10.15407/ujpe62.02.0159

Номер

Розділ

Тверде тіло