Вплив змiн дефектних станiв на властивостi фотокатода Si–Gd–O

Автор(и)

  • P. V. Mel’nyk Taras Shevchenko National University of Kyiv
  • M. G. Nakhodkin Taras Shevchenko National University of Kyiv
  • M. I. Fedorchenko Taras Shevchenko National University of Kyiv

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe62.08.0692

Ключові слова:

Si, Gd, O, Gd2O3, дефекти структури, електроннi та емiсiйнi властивостi

Анотація

Методами фотоелектронної (ℎv = 2,3–10,2 еВ) та оже-електронної спектроскопiй дослiджено змiни електронних та емiсiйних властивостей фотокатода на основi багатошарової структури окислених атомiв Gd (iмовiрно Gd2O3) на пiдкладцi iз Si(100) пiсля напилення на його поверхню додаткових шарiв атомiв Gd та бомбардування iонами Ar. Встановлено, що змiни властивостей фотокатода залежать вiд дефектностi його приповерхневого шару i зумовленi змiною концентрацiї локалiзованих електронних станiв, розташованих в забороненiй зонi Gd2O3. Показано, що бомбардування iонами Ar та експозицiя в атомарному воднi катода Si–Gd–O може використовуватись для керування його спектральними та емiсiйними характеристиками. Пiдтверджена можливiсть використання запропонованої нами енергетичної схеми фотокатода для якiсного аналiзу його властивостей.

Опубліковано

2018-12-13

Як цитувати

Mel’nyk, P. V., Nakhodkin, M. G., & Fedorchenko, M. I. (2018). Вплив змiн дефектних станiв на властивостi фотокатода Si–Gd–O. Український фізичний журнал, 62(8), 692. https://doi.org/10.15407/ujpe62.08.0692

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають