Щільність дефектних станів і спектри дефектного поглинання a-Si:H
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe64.4.315Ключові слова:
amorphous semiconductors, distribution of electron density of states, Kubo–Greenwood formula, Davis–Mott approximation, optical electron transitions, spectral characteristics, defect absorption coefficientАнотація
Дослiджено спектральнi характеристики коефiцiєнта дефектного поглинання аморфного гiдрогенiзованого кремнiю, якi визначаються з електронних переходiв, в яких беруть участь енергетичнi стани обiрваних зв’язкiв (дефекти). Показано, що в значеннях коефiцiєнта дефектного поглинання основну роль вiдiграють електроннi переходи мiж дефектними i нелокалiзованими станами. Також показано, що спектральна характеристика в основному визначається функцiєю розподiлу щiльностi електронних станiв, що знаходяться в валентнiй зонi або в зонi провiдностi. Визначено, що максимуми в спектральнiй характеристицi коефiцiєнта дефектного поглинання з’являються у тому випадку, коли в межах дозволених зон є яскраво вираженi максимуми.
Посилання
M. Vanecek, A. Abraham, O. Stika, J. Stuchlik, J. Kocka. Gap states density in a-Si:H deduced from subgap optical absorption measurement on Schottky solar cells. Phys. Status Solidi A 83, 617 (1984). https://doi.org/10.1002/pssa.2210830225
O.A. Golikova. Doping and pseudo-doping of amorphous hydrogenated silicon (A review). Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25, 1517 (1991) (in Russian).
S. Yamasaki, S. Kuroda, K. Tanaka. Endor study of a-Si:H. J. Non-Cryst. Solids 59-60, 141 (1983). https://doi.org/10.1016/0022-3093(83)90542-2
A. Triska, I. Shimizu, J. Kocka, L. Tichy. Photoelectrical and optical study of p-type a-Si:H used as a photoreceptor. J. Non-Cryst. Solids 59-60, 493 (1983). https://doi.org/10.1016/0022-3093(83)90628-2
S. Yamasaki, H. Oheda, A. Matsuda, H. Okushi. Gap-state profiles of a-Si:H deduced from below-gap optical absorption. Jpn. J. Appl. Phys. 21, L539 (1982). https://doi.org/10.1143/JJAP.21.L539
O.Yu. Sologub. Determination of the absorption spectrum of amorphous silicon. In Abstracts of the 23rd International Crimean Conference on Microwave and Telecommunication Technology, 9-13 September, Sevastopol, Ukraine (2013), p. 754.
N.F. Mott and E.A. Davies, Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Oxford Univ. Press, 1979).
S. Zainobidinov, R.G. Ikramov, R.M. Jalalov. Urbach energy and tails of the density of states in amorphous semiconductors. Zh. Prikl. Spektrosk. 78, 243 (2011) (in Russian). https://doi.org/10.1007/s10812-011-9450-9
R.G. Ikramov. Distribution function of electron states of dangling bonds in amorphous semiconductors. Estestv. Tekhn. Nauki 6, 53 (2007) (in Russian).
The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon I. Structure, Preparation and Devices. Edited by J.D. Joannopoulos, G. Lukovsky (Springer, 1984).
Amorphous Semiconductors. Edited by M.H. Brodsky (Springer, 1979).
V.I. Fistul. Introduction to Semiconductor Physics (Vysshaya Shkola, 1984) (in Russian).
A. Harke. Amorphous Silicon of the Application in Integrated Optics (Technischen Univ. Hamburg, 2010).
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
