Вплив домiшок з глибокими рiвнями на тензоелектричнi властивостi монокристалiчного кремнiю

Автор(и)

  • S. Zainabidinov Andijan State University
  • O. O. Mamatkarimov Namangan Engineering and Technology Institute
  • O. Khimmatkulov Tashkent State Technical University
  • I. G. Tursunov National University of Uzbekistan

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe62.11.0957

Ключові слова:

deformation, impurities, strain resistance, elastic compression

Анотація

Ефект п’єзорезистентностi дослiджено в компенсованих та термiчно оброблених зразках Si : Zn i Si : Zn, Mn при одновiсному пружному стискуваннi. Показано, що цей ефект зумовлений змiнами концентрацiї та рухливостi носiїв струму. Аномальнi змiни рухливостi носiїв при стиску навколо кристалографiчної осi [111] пов’язанi зi змiною їх розсiювання на великомасштабних утвореннях дефектiв.

Downloads

Опубліковано

2018-12-12

Як цитувати

Zainabidinov, S., Mamatkarimov, O. O., Khimmatkulov, O., & Tursunov, I. G. (2018). Вплив домiшок з глибокими рiвнями на тензоелектричнi властивостi монокристалiчного кремнiю. Український фізичний журнал, 62(11), 957. https://doi.org/10.15407/ujpe62.11.0957

Номер

Розділ

Тверде тіло