Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100)

Автор(и)

  • P. O. Gentsar V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • O. I. Vlasenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • S. M. Levytskyi V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe62.11.0953

Ключові слова:

n-GaAs(100), лазерне опромiнення, спектри вiдбиття, показник заломлення, приповерхневий шар

Анотація

У данiй роботi представленi результати оптичних дослiджень спектрiв вiдбиття монокристалiв n-GaAs(100) з питомим опором 10 Ом· см (при кiмнатнiй температурi) в дiапазонi 0,2–1,7 мкм до та пiсля лазерного опромiнення в iнтервалi енергiй 66–108 мДж/см2. Експериментально показано збiльшення вiдбиваючої здатностi дослiджуваних кристалiв при данiй лазернiй обробцi. Даний iнтегральний ефект пояснено вiдмiнностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об’єму матерiалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару ˜ns = ns + ixs вiдрiзняється вiд комплексного показника заломлення об’єму матерiалу ˜nv = nv + ixv).

Опубліковано

2018-12-12

Як цитувати

Gentsar, P. O., Vlasenko, O. I., & Levytskyi, S. M. (2018). Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100). Український фізичний журнал, 62(11), 953. https://doi.org/10.15407/ujpe62.11.0953

Номер

Розділ

Оптика, лазери, квантова електроніка