Діелектрична функція квантовo-розмірної тонкої плівки з модифікованим потенціалом Пешля–Теллера
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe63.12.1109Ключові слова:
quantum-confined thin film, quantum confinement effects, dielectric function, modified P¨oschel–Teller potential, matrix element of the scattering potential, polarization operatorАнотація
Дослiджено просторову та часову дисперсiї дiелектричної проникностi електронного газу в квазiдвовимiрних квантових наноструктурах. Вперше розглядається задача про екранування потенцiалу, що розсiює, носiїв заряду в квантово-розмiрнiй плiвцi з модифiкованим потенцiалом Пешля–Теллера. Отриманi аналiтичнi вирази для дiелектричної проникностi.
Посилання
Y. He, Y. Zhao, J. Quan, G. Ouyang. Shape engineering for electronic and optoelectronic properties of Si nanostructure solar cells. J. Appl. Phys. 120, 144302 (2016). https://doi.org/10.1063/1.4964802
J. Tao, Y. Jiao, Y. Mo, Z-H. Yang, J-X. Zhu, P. Hyldgaard, J.P. Perdew. First-principles study of the binding energy between nanostructures and its scaling with system size. Phys. Rev. B 97, 155143 (2018). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.155143
K.A. Gonchar, L.A. Osminkina, V. Sivakov, V. Lysenko, V.Yu. Timoshenko. Optical properties of nanowire structures produced by the metal-assisted chemical etching of lightly doped silicon crystal wafers. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 48, 1654 (2014) (in Russian). https://doi.org/10.1134/S1063782614120082
F. Zheng, J. Tao, A.M. Rappe. Frequency-dependent dielectric function of semiconductors with application to physisorption. Phys. Rev. B 95, 035203 (2017). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.035203
L.E. Golub, F.V. Porubaev. Effects of spatial dispersion at intraband transitions in multiple quantum wells structures. Fiz. Tverd. Tela 55, 2128 (2013) (in Russian). https://doi.org/10.1134/S1063783413110103
M.L. Trolle, T.G. Pedersen, V. V’eniard. Model dielectric function for 2D semiconductors including substrate screening. Sci. Rep. 7, 39844 (2017). https://doi.org/10.1038/srep39844
Z. Hens, D. Vanmaekelbergh, E.S. Kooij, H.Wormeester, G. Allan, C. Delerue. Effect of quantum confinement on the dielectric function of PbSe. Phys. Rev. Lett. 92, 026808 (2004). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.92.026808
I. Moreels, G. Allan, B. De Geyter, L. Wirtz, C. Delerue, Z. Hens1. Dielectric function of colloidal lead chalcogenide quantum dots obtained by a Kramers–Kr¨onig analysis of the absorbance spectrum. Phys. Rev. B 81, 235319 (2010). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.235319
N.L. Bazhenov, K.D. Mynbaev, G.G. Zegrya. A dielectric function in semiconductor quasi-2D nanostructures. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 41, 190 (2007) (in Russian). https://doi.org/10.1134/S1063782607020145
A. Wierling, H. Reinholz, G. R¨opke, J. Adams. Dynamic structure factor of dusty and low-dimensional plasmas. Contrib. Plasma Phys. 45, 441 (2005). https://doi.org/10.1002/ctpp.200510050
S.S. Sokolov, N. Studart. Plasmon spectrum in low-dimensional electron systems over insulating cryogenic films: Screening, quantum degeneracy, and multisubband effects. Phys. Rev. B 68,195403 (2003). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.68.195403
M. Vallone. Practical formulations of the electron capture rate in quantum wells by phonon emission at low carrier density. J. Appl. Phys. 911, 9848 (2002). https://doi.org/10.1063/1.1477615
V.F. Gantmakher, Y.B. Levinson. Carrier Scattering in Metals and Semiconductors (North-Holland, 1987).
B.M. Askerov, Electron Transport Phenomena in Semiconductors (World Scientific, 1994). https://doi.org/10.1142/1926
T. Ando, A. Fowler, F. Stern. Electronic properties of two-dimensional systems. Rev. Mod. Phys. 54, 437 (1982). https://doi.org/10.1103/RevModPhys.54.437
P.P. Kostrobii, I.A. Ryzha. A Model for Thin Electron Film. Visn. Nat. Univ. L'vivs'ka Politekhn. Fiz. Mat. Nauk. No. 718, 89 (2011) (in Ukrainian).
S. Fl¨ugge. Practical Quantum Mechanics (Springer, 1974).
S. Cruz y Cruz, ¸S. Kuru, J. Negro. Classical motion and coherent states for P¨oschel–Teller potentials. Phys. Lett. A 372, 1391 (2008). https://doi.org/10.1016/j.physleta.2007.10.010
Handbook of Mathematical Functions. Edited by M. Abramovitz, I.A. Stegun (Dover, 1970).
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
