Tellurium Effect on Degradation Stability of Semiinsulating Gallium Arsenide Crystals

N. I. Klyui; A. I. Liptuga; V. B. Lozinskii; A. P. Oksanich; S. E. Pritchin; F. V. Fomovskii; V. O. Yukhymchuk

doi:10.15407/ujpe59.11.1093

Вплив телуру на деградацiйну стiйкiсть кристалiв напiвiзолюючого арсенiду галiю

Автор(и)

N. I. Klyui V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
A. I. Liptuga V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
V. B. Lozinskii V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
A. P. Oksanich M. Ostrogradskyi National University of Kremenchuk
S. E. Pritchin M. Ostrogradskyi National University of Kremenchuk
F. V. Fomovskii M. Ostrogradskyi National University of Kremenchuk
V. O. Yukhymchuk V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe59.11.1093

Ключові слова:

деградацiйна стiйкiсть кристалiв, метод Чохральського, внутрiшнi механiчнi напруження

Анотація

Показано, що вихiднi, необробленi кристали напiвiзолюючого GaAs, компенсованi телуром, пiсля ВЧ-обробок деградують iстотно менше порiвняно зi зразками, легованими хромом. Даний ефект свiдчить про суттєвий вплив типу компенсуючої домiшки на деградацiйну стiйкiсть матерiалу. Також встановлено, що кристали напiвiзолюючого GaAs, компенсованi телуром, що пройшли попередню обробку в плазмi водню, мають вищу деградацiйну стiйкiсть до впливу тривалих високочастотних i мiкрохвильових обробок, порiвняно з необробленими кристалами.

Посилання

N.I. Klyui, A.I. Liptuga, V.B. Lozinskii, A.N. Luk'yanov, A.P. Oksanich, and V.A. Terban, Pis'ma Zh. Tekhn. Fiz. 38, No. 13, 27 (2012).

N.I. Klyui, A.I. Liptuga, V.B. Lozinskii, A.P. Oksanich, V.A. Terban, and F.V. Fomovskii, Pis'ma Zh. Tekhn. Fiz. 38, No. 22, 28 (2012).

V.G. Sidorov, D.V. Sidorov, and V.I. Sokolov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32, 1393 (1998).

E.D. Atanassova, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, V.F. Mitin, and V.V. Shynkarenko, Effect of Active Actions on the Properties of Semiconductor Materials and Structures (NTC "Institute for Single Crystals", Kharkiv, 2007).

M.F. Whitaker and D.J. Dunstan, J. Phys.: Condens. Matter. 11, 2861 (1999).

https://doi.org/10.1088/0953-8984/11/13/020

M.V. Rao, in Advances in Induction and Microwave Heating of Mineral and Organic Materials, edited by Stanislaw Grundas (InTech, 2011), p. 459 [http://www.intechopen.com/books/advances-in-induction-and-microwave-heating-of-mineral-and-organic-materials/ultra-fast-microwave-heating-for-large-bandgap-semiconductor-processing].

N.I. Klyui, A.I. Liptuga, V.B. Lozinskii, A.P. Oksanich, V.A. Terban, and F.V. Fomovskii, Tekhn. Elektrodyn. Temat. Vypusk 1, 199 (2012).

Downloads

Опубліковано

2018-10-28

Як цитувати

Klyui, N. I., Liptuga, A. I., Lozinskii, V. B., Oksanich, A. P., Pritchin, S. E., Fomovskii, F. V., & Yukhymchuk, V. O. (2018). Вплив телуру на деградацiйну стiйкiсть кристалiв напiвiзолюючого арсенiду галiю. Український фізичний журнал, 59(11), 1093. https://doi.org/10.15407/ujpe59.11.1093

Завантажити посилання

Номер

Том 59 № 11 (2014)

Розділ

Тверде тіло

Ліцензія

Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна

Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:

1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.

2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.

3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.

4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.

5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.

6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.