Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением

Автор(и)

  • B. A. Najafov Institute of Radiation Problems, Azerbaijan National Academy of Sciences
  • V. V. Dadashova Baku State University

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe59.10.0959

Ключові слова:

гидрогенизированные тонкие пленки, плазмохимическое осаждение, фотопроводимость

Анотація

Проанализированы возможности применения технологии плазмохимического осаждения пленок a-Si1−xGex:H (x = 0−1), нелегированных и легированных PH3 и B2H6, для использования их в p–i–n-структурах солнечных элементов. Рассмотрены оптические, электрические, фотоэлектрические свойства, также определено количество водорода, содержащегося в данной пленке. Найдено, что свойства пленки сильно зависят от состава и уровня гидрогенизации. Количество атомов водорода в пленках варьировали путем изменения составов газовой смеси, и измеряли ИК поглощение для пленок a-Si:H и a-Ge:H. Фотопроводимость рассчитывалась по соотношению: Jф = AF^y при y = 1. Концентрация водорода в пленках определялась предпочтительным дополнительным параметром – Р. В то же время NH определялось с помощью колебательной моды растяжения и моды качения для пленок a-Si1−xGex:H (x = 0−1). На основе пленок a-Si:H и a-Si0,88Ge0,12:H изготовлены трехслойные солнечные элементы с площадью элемента 1,3 см2 и эффективностью (E) 9,5%.

Посилання

-

Опубліковано

2018-10-25

Як цитувати

Najafov, B. A., & Dadashova, V. V. (2018). Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением. Український фізичний журнал, 59(10), 959. https://doi.org/10.15407/ujpe59.10.0959

Номер

Розділ

Оптика, лазери, квантова електроніка