Рiст вiсмуту на Ge(111): еволюцiя морфологiї вiд нанокристалiв до плiвок
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe59.08.0805Ключові слова:
bismuth, germanium, thin film growth, scanning tunneling microscopyАнотація
Дослiджено рiст надтонких плiвок вiсмуту до 15 атомарних шарiв на атомарно чистiй пiдкладцi Ge(111)-c(2 × 8) при 300 К методом надвисоковакуумної скануючої тунельної мiкроскопiї до та пiсля вiдпалу при 450 К. Спостерiгався такий дiапазон морфологiй вiсмутового адсорбату: окремi атоми, двовимiрнi наноострiвцi, тривимiрнi нанокристали, мiкрокристали, а також атомарно гладка плiвка. Тривимiрна (3D) наноструктуризацiя досягається в процесi росту плiвки за сценарiєм Вольмера–Вебера до 10 атомарних шарiв. За подальшого росту вiд 10 до 15 атомарних шарiв вiдбувається згладжування поверхнi плiвки. Пiсля вiдпалу субмоношарових плiвок спостерiгалися окремi атоми Вi, вбудованi у зовнiшнiй атомарний шар пiдкладки Ge(111), а також двовимiрнi острiвцi першого атомарного шару плiвки (2D наноструктурування). Плiвки бiльшої товщини зазнавали розрихлення внаслiдок вiдпалу i складались iз низки нано- та мiкрокристалiв вiсмуту.
Посилання
Ph. Hofmann, Progr. in Surf. Sci. 81, 191 (2006).
https://doi.org/10.1016/j.progsurf.2006.03.001
Yu.M. Koroteev, G. Bihlmayer, J.E. Gayone et al., Phys. Rev. Lett. 93, 046403 (2004).
https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.93.046403
Yu.M. Koroteev, G. Bihlmayer, E.V. Chulkov et al., Phys. Rev. B 77, 045428 (2008).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.77.045428
I. Gierz, T. Suzuki, E. Frantzeskakis et al., Phys. Rev. Lett. 103, 046803 (2009).
https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.103.046803
S. Hatta, T. Aruga, Y. Ohtsubo et al., Phys. Rev. B 80, 113309 (2009).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.113309
Y. Ohtsubo, S. Hatta, K. Yaji et al., Phys. Rev. B 82, 201307(R) (2010).
A. Goriachko, P.V. Melnik, A. Shchyrba et al., Surf. Sci. 605, 1771 (2011).
https://doi.org/10.1016/j.susc.2011.06.004
N. Ballav, C. W¨ackerlin, D. Siewert et al., J. of Phys. Chem. Lett. 4, 2303 (2013).
https://doi.org/10.1021/jz400984k
W. Hieringer, K. Flechtner, A. Kretschmann et al., J. of the Amer. Chem. Soc. 133, 6206 (2011).
https://doi.org/10.1021/ja1093502
J.T. Sadowski, T. Nagao, S. Yaginuma et al., J. of Appl. Phys. 99, 014904 (2006).
https://doi.org/10.1063/1.2150598
T. Nagao, J.T. Sadowski, M. Saito et al., Phys. Rev. Lett. 93, 105501 (2004).
https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.93.105501
Y. Oh, J. Seo, H. Suh et al., Surf. Sci. 602, 3352 (2008).
https://doi.org/10.1016/j.susc.2008.09.004
K. Miki, J.H.G. Owen, D.R. Bowler et al., Surf. Sci. 421, 397 (1999).
https://doi.org/10.1016/S0039-6028(98)00870-X
M. Naitoh, M. Takei, S. Nishigaki et al., Surf. Sci. 482-485, 1440 (2001).
https://doi.org/10.1016/S0039-6028(01)00860-3
J.H.G. Owen, D.R. Bowler, K. Miki et al., Surf. Sci. 596, 163 (2005).
https://doi.org/10.1016/j.susc.2005.09.012
A.G. Mark, J.A. Lipton-Duffin, J.M. MacLeod et al., J. of Phys.: Cond. Matter 17, 571 (2005).
https://doi.org/10.1088/0953-8984/17/4/001
H.K. Louwsma, H.J.W. Zandvliet, B.A.G. Kersten et al., Surf. Sci. 381, L594 (1997).
https://doi.org/10.1016/S0039-6028(97)00055-1
C. Cheng and K. Kunc, Phys. Rev. B 56, 10283 (1997).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.56.10283
Y. Ohtsubo, S. Hatta, M. Iwata et al., J. of Phys.: Cond. Matter 21, 405001 (2009).
https://doi.org/10.1088/0953-8984/21/40/405001
S. Hatta, Y. Ohtsubo, S. Miyamoto et al., Appl. Surf. Sci. 256, 1252 (2009).
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2009.05.079
I.V. Lyubinetsky, P.V. Melnik, N.G. Nakhodkin et al., Vacuum 46, 219 (1995).
https://doi.org/10.1016/0042-207X(94)00047-6
R.S. Becker, B.S. Swartzentruber, J.S. Vickers et al., Phys. Rev. B 39, 1633 (1989).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.39.1633
E.S. Hirschhorn, D.S. Lin, F.M. Leibsle et al., Phys. Rev. B 44, 1403 (1991).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.44.1403
G. Lee, H. Mai, I. Chizhov et al., J. of Vacuum Sci. and Techn. A 16, 1006 (1998).
https://doi.org/10.1116/1.581222
G. Lee, H. Mai, I. Chizhov et al., Surf. Sci. 463, 55 (2000).
https://doi.org/10.1016/S0039-6028(00)00596-3
I. Razado-Colambo, J. He, H.M. Zhang et al., Phys. Rev. B 79, 205410 (2009).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.79.205410
R.M. Feenstra, S. Gaan, G. Meyer et al., Phys. Rev. B 71, 125316 (2005).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.71.125316
M. Saito, T. Ohno, T. Miyazaki, Appl. Surf. Sci. 237, 80 (2004).
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.06.106
S. Yaginuma, T. Nagao, J.T. Sadowski, Surf. Sci. 547, L877 (2003).
https://doi.org/10.1016/j.susc.2003.10.015
M.G. Nakhodkin and M.I. Fedorchenko, Visn. Kyiv. Univ. Ser. Fiz. Mat. 4, 236 (2010).
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
