Дослiдження розповсюдження температурних профiлiв в нестехiометричних плiвках SiOx при лазерному вiдпалi
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe59.07.0712Ключові слова:
SiOx films, thermal conductivity, nanocrystalsАнотація
Проведено теоретичне дослiдження розповсюдження температурних профiлiв в нестехiометричних плiвках SiOx при лазерному вiдпалi одиничним iмпульсом. Розраховано розподiл температури на поверхнi плiвок SiOx, опромiнених лазерним променем з рiзною iнтенсивнiстю. Знайдено розподiл температури на рiзнiй глибинi плiвок SiOx, опромiнених лазерним променем з iнтенсивнiстю 52 МВт/cм2. Показано, що при лазерному вiдпалi з iнтенсивнiстю 52 МВт/cм2 температура на поверхнi плiвок SiOx може досягати 1800 К.
Посилання
S.V. Bunak, A.A. Buyanin, V.V. Ilchenko, V.V. Marin, V.P. Melnik, I.M. Khacevich, O.V. Tretyak, and A.G. Shkavro, Semicond. Phys., Quantum Electr. & Optoelectr. 13, 12 (2010).
O.L. Bratus', A.A. Evtukh, O.S. Lytvyn, M.V. Voitovych, and V.О. Yukhymchuk, Semicond. Phys., Quantum Electr. & Optoelectr. 14, 247 (2011).
I.Z. Indutnyi, E.V. Michailovska, P.E. Shepeliavyi, and V.A. Dan'ko, Semiconductors 44, 218 (2010).
T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoki, Y. Kurata, and S. Hasegawa, J. Appl. Phys. 83, 2228 (1998).
C-J. Lin, G-R. Lin, Y-L. Chueh, and L-J. Chou, Electroch. and Solid-State Lett. 8, No. 12, 43 (2005).
N.I. Koroteev and I.L. Shumay, Physics of Power Laser Irradiation (Nauka, Moscow, 1991) (in Russian).
A.V. Lykov, The Theory of Heat Conduction (Vysshaya Shkola, Мoscow, 1967) (in Russian).
H.S. Carslaw and J.C. Jaeger, Conduction of Heat in Solids (Oxford Univ. Press, New York, 1959).
O.O. Gavrylyuk and O.Yu. Semchuk, Optoelectr. Information-Power Techn. 2(24), 127 (2012).
D. Burgess , P.C. Stair, and E. Weitz, J. Vac. Sci. Technol. 4, 1352 (1986).
E. Armon, Y. Zving, G. Laufer, and A. Soldan, J. Appl. Phys. 65, 4995 (1989).
T. Rantala and J. Levoska, J. Appl. Phys. 65, 4475 (1989).
G.A. Korn and T.M. Коrn, Mathematical Handbook for Scientists and Engineers (McGraw-Hill, New York, 1961).
O.Yu. Semchuk, V.N.Semioshko, L.G. Grechko, M. Willander, and M.Karlsteen, Appl. Surf. Sci. 252, 4759 (2006).
O.O. Gavrylyuk and O.Yu. Semchuk, Chem., Phys. and Techn. of Surface 3, 352 (2012).
O.O, Gavrylyuk, O.Yu. Semchyk, O.L. Bratus, A.A. Evtukh, O.V. Steblova, and L.L. Fedorenko, App. Surf. Sci. 10.1016/j.apsusc.2013.09.171 (2013).
G.A. Kachurin, A.F. Layer, K.S. Zhuravlyov, I.E. Tyschenko, A.K. Gutakovskiy, V.A. Volodin, V. Scorupa, and R.A. Yankov, Fiz. Tekhn. Poluprov. 32, 1371 (1998).
C.F. Tan, X.Y. Chen, Y.F. Lu, Y.H. Wu, B.J. Cho, and J.N. Zeng, J. Laser Appl. 16, 40 (2004).
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
