Механiзми розсiювання носiїв заряду у термоелектричному PbTe:Sb

Автор(и)

  • D. M. Freik Physico-Chemical Institute, V. Stefanyk Prycarpathian National University
  • S. I. Mudryi Ivan Franko National University of L’viv
  • I. V. Gorichok Physico-Chemical Institute, V. Stefanyk Prycarpathian National University
  • R. O. Dzumedzey Physico-Chemical Institute, V. Stefanyk Prycarpathian National University
  • O. S. Krynytskyi Ivano-Frankivsk National Technical University of Oil and Gas, Physico-Chemical Institute, V. Stefanyk Prycarpathian National University
  • T. S. Lyuba Physico-Chemical Institute, V. Stefanyk Prycarpathian National University

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe59.07.0706

Ключові слова:

плюмбум телурид, легування, механiзми розсiювання

Анотація

На основi результатiв рентгенографiчних дослiджень та вимiрювання термоелектричних параметрiв (коефiцiєнта термо-ерс a та питомої електропровiдностi q) легованого сурмою плюмбум телуриду, встановлено механiзми входження домiшкових атомiв у кристалiчну ґратку матрицi та їх вплив на рухливiсть носiїв заряду. Показано, що введення домiшки в кiлькостi до 0,3 ат.% сприяє зростанню рухливостi електронiв внаслiдок заповнення вакансiй телуру, якi є активними розсiюючими центрами, iонами стибiю, вплив яких на рухливiсть є меншим.

Посилання

L.I. Anatychuk, Thermoelements and Thermoelectric Devices (Naukova Dumka, Kyiv, 1979) (in Russian).

L.I. Anatychuk, Thermoelectricity. V. 1: Physics of Thermoelectricity (Institute of Thermoelectricity, Chernivtsi, 1998).

Ye.P. Sabo, Termoelektryka 4, 49 (2007).

D.M. Freik, I.V. Gorichok, R.O. Dzumedzei et al., Fiz. Khim. Tverd. Tila 13, 220 (2012).

D.M. Freik, R.O. Dzumedzei, I.V. Gorichok et al., Fiz. Khim. Tverd. Tila 14, 390 (2013).

L.D. Borisova, Phys. Status Solidi A 53, K19 (1979).

https://doi.org/10.1002/pssa.2210530157

Chr. Jaworski, J. Tobola, E.M. Levin et al., Phys. Rev. B 80, 125208 (2009).

D.M. Freik, C.A. Kryskov, I.V. Horichok et al., J. Thermoelectr. 2, 42 (2013).

Y.I. Ravich, B.A. Efimova, and I.A. Smirnov, Semiconducting Lead Chalcogenides (Plenum Press, New York, 1970).

https://doi.org/10.1007/978-1-4684-8607-0

V.F. Masterov, F.S. Nasredinov, S.A. Nemov et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. 34, 1321 (1997).

S.A. Nemov, P.P. Seregin, S.M. Irkaev, and N.P. Seregin, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 37, 279 (2003).

G.A. Bordovskii, S.A. Nemov, and A.V. Marchenko, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 45, 437 (2011).

D.M. Freik, V.V. Prokopiv, M.O. Galushchak, M.V. Pyts, and G.D. Mateik, Crystal Chemistry and Thermodynamics of Atomic Defects in 4 6 Compounds (Plai, IvanoFrankivsk,1999) (in Ukrainian).

B. Boltaks, Diffusion and Point Defects in Semiconductors (Mir, Moscow, 1987).

B.M. Askerov, Electron Transport Phenomena in Semiconductors (World Scientific, Singapore, 1994).

https://doi.org/10.1142/1926

D.M. Zayachuk, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 217 (1997).

Yu.I. Ravich and L.Ya. Morgovskii, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 2, 1528 (1969).

W. Zawadzki and W. Szymanska, Phys. Status Solidi B 45, 415 (1971).

https://doi.org/10.1002/pssb.2220450206

Опубліковано

2018-10-24

Як цитувати

Freik, D. M., Mudryi, S. I., Gorichok, I. V., Dzumedzey, R. O., Krynytskyi, O. S., & Lyuba, T. S. (2018). Механiзми розсiювання носiїв заряду у термоелектричному PbTe:Sb. Український фізичний журнал, 59(7), 706. https://doi.org/10.15407/ujpe59.07.0706

Номер

Розділ

Тверде тіло