Структурнi дослiдження поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалiв In4Se3 методом дифракцiї повiльних електронiв
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe59.06.0612Ключові слова:
дифракцiя повiльних електронiв, шаруватi кристали, мiжшаровi поверхнi сколювання, температура Дебая, фактор Дебая–Уоллера, анiзотропiя теплового розширенняАнотація
Методом дифракцiї повiльних електронiв на вiдбивання дослiджено стабiльнiсть структури поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалiв In4Se3 та їх “тепловi” характеристики. Показано, що поверхнi сколювання (100) In4Se3 є структурно стабiльними, i не зазнають атомної реконструкцiї у широкому температурному дiапазонi 77–295 K. За результатами експериментiв з температурної залежностi iнтенсивностi дифракцiйних рефлексiв, яка зменшується з ростом температури зразка, одержано такi тепловi характеристики поверхонь сколювання, як: температура Дебая та фактор Дебая–Уоллера. Розрахована температура Дебая поверхонь сколювання (100) In4Se3 є температурно-залежною величиною, i її значення є рiзними у трьох рiзних температурних областях для вказаного вище температурного дiапазону 77–295 K. Пiдтверджено, що температура Дебая для поверхонь сколювання (100) In4Se3 та для об’єму кристала є рiзною, а також встановлено анiзотропiю теплового розширення поверхонь сколювання за основними кристалографiчними напрямками у площинi сколу (100) In4Se3.
Посилання
K. Oura, V.G. Lifshits, A.A. Saranin, A.V. Zotov, and M. Katayama, Surface Science. An Introduction (Springer, Berlin, 2003).
D.P. Woodruff and T.A. Delchar, Modern Techniques of Surface Science (Cambridge University Press, Cambridge, 1994).
https://doi.org/10.1017/CBO9780511623172
H. Wedler and K. Heinz, Vakuum Forsch. Prax. 2, 107 (1995).
https://doi.org/10.1002/vipr.19950070205
A.R. Shulman and S.A. Fridrikhov, Secondary-Emission Methods for Investigations of Solids (Nauka, Moscow, 1977) (in Russian).
U. Schwarz, H. Hillebrecht, H.J. Deiseroth, and R. Walther, Z. Kristallogr. 210, 342 (1995).
https://doi.org/10.1524/zkri.1995.210.5.342
P.V. Galiy, A.V. Musyanovych, and Ya.M. Fiyala, Physica E 35, 88 (2006).
https://doi.org/10.1016/j.physe.2006.06.003
P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, Ya.B. Losovyj, and Ya.M. Fiyala, Funct. Mater. 15, 68 (2008).
P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, O.R. Dveriy, A. Ciszewski, P. Mazur, and S. Zuber, Physica E 41, 465 (2009).
https://doi.org/10.1016/j.physe.2008.09.011
W. Jaegermann, A. Klein, and C. Pettenkofer, in Electron Spectroscopies Applied to Low-Dimensional Structures, edited by H.I Hughes and H.P. Starnberg (Kluwer, Dordrecht, 2000), p. 317.
P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, O.Ya. Melnyk, and Y.M. Stakhira, Ukr. Fiz. Zh. 48, 256 (2003).
T.D. Henson, D. Sarid, and L.S. Bell, J. Microsc. 152, 467 (1988).
https://doi.org/10.1111/j.1365-2818.1988.tb01409.x
J.M. Nicholls and J.M. Debever, Surf. Sci. 189/190, 919 (1987).
https://doi.org/10.1016/S0039-6028(87)80529-0
J. Brandt, Dissert. zur Erlangung des Dokt. der Mathem.- Nat. (Kiel, 2003).
B.A. Nesterenko and V.G. Lyapin, Phase Transitions on Free Faces and Phase Interfaces in Semiconductors (Naukova Dumka, Kiev, 1990) (in Russian).
Li Ming, P. Thiry, and A. Degiovanni, Phys. Rev. B 49, 11613 (1994).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.49.11613
Bo Ying Han, K. Hevesi, Yu. Li-Ming, J. Vacuum Sci. Technol. A 13, 1036 (1994).
O.A. Balitskii, B. Jaeckel, and W. Jaegermann, Phys. Lett. A 372, 3303 (2008).
https://doi.org/10.1016/j.physleta.2008.01.051
P.V. Galiy, Ya.B. Losovyj, T.M. Nenchuk, and I.R. Yarovets, in Abstracts of the 6th International Workshop on Surface Physics, 1–6 September 2013, Niemcza, Poland (University of Wroclaw, Wroclaw, 2013), p. 51.
E.E. Anders, B.Ya. Sukharevskii, and L.S. Shestachenko, Fiz. Nizk. Temp. 5, 783 (1979).
Ya.B. Losovyj, M. Klinke, E. Cai, I. Rodriges, J. Zhang, L. Makinistian, A.G. Petukhov, E.A. Albanesi, P. Galiy, Ya. Fiyala, J. Liu, and P.A. Dowben, Appl. Phys. Lett. 92, 122107 (2008).
https://doi.org/10.1063/1.2894577
Ya.B. Losovyj, L. Makinistian, E. Albanesi, A.G. Petukhov, J. Liu, P.V. Galiy, O.R. Dveriy, and P.A. Dowben, J. Appl. Phys. 104, 083713 (2008).
https://doi.org/10.1063/1.3000453
I.M. Stakhira and P.G. Ksyondzyk, Ukr. Fiz. Zh. 26, 762 (1981).
B.F. Ormont, Introduction to Physical Chemistry and Crystal Chemistry of Semiconductors (Vysshaya Shkola, Moscow, 1973) (in Russian).
J.W. Niemantsverdriet, Spectroscopy in Catalysis. An Introduction (Wiley, Weinheim, 2007).
https://doi.org/10.1002/9783527611348
C.N. Borca, T. Komesu, H.-k. Jeong, P.A. Dowben, and D. Ristoiu, Appl. Phys. Lett. 77, 88 (2000).
https://doi.org/10.1063/1.126886
K. Fukutani, N. Lozova, S.M. Zuber, P.A. Dowben, P.V. Galiy, and Ya.B. Losovyj, Appl. Surf. Sci. 256, 4796 (2010).
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2010.01.106
D.M. Bercha and K.Z. Rushchanskii, Fiz. Tverd. Tela 40, 2103 (1998).
I.M. Stakhira and P.G. Ksyondzyk, Ukr. Fiz. Zh. 27, 1186 (1982).
P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, V.P. Savchin, and Y.M. Stakhira, Ukr. Fiz. Zh. 40, 230 (1995).
P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, and J.M. Stakhira, J. Phys. D 34, 18 (2001).
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
